C30645ECERH – InGaAS APD, 80 µm, Keramiksubstrat
Die großflächige C30645ECERH InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 80 µm auf einem keramischen Substrat.
Die Excelitas C30645ECERH ist für eine Wellenlänge von 1550 nm optimiert und eignet sich für den Einsatz in augensicheren Laser-Entfernungsmesssystemen.
Hauptmerkmale:
- Großflächige InGaAS APD mit 80 µm Durchmesser
- Keramisches Substrat
- Spektrale Empfindlichkeit: 1000 nm bis 1700 nm
- Geringes Rauschen und niedriger Dunkelstrom
- Hohe Verstärkung und Quantenausbeute
- Bandbreite größer als 1000 MHz
- Individuell angepasste Modifikationen möglich
Anwendungen:
- Laser-Entfernungsmessung
- Optische Kommunikation
- Laserscannen und Bildgebung
- Spektrometrie und Reflektometrie
Aktiver Durchmesser: 80 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 3 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 1,25 pF
Bandbreite: 1000 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: 2x4 mm keramisches Substrat
Aktiver Durchmesser: 80 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 3 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 1,25 pF
Bandbreite: 1000 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: 2x4 mm keramisches Substrat