C30645L-080 InGaAs APD, 80 um, SMD-Gehäuse
Die C30645L-080 Avalanche-Photodioden von Excelitas sind schnelle, großflächige InGaAs-APDs, mit hoher Quantenausbeute und hoher Empfindlichkeit bei geringem Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm. Diese Photodioden weisen einen aktiven Durchmesser von 80 µm auf in einem kompakten SMD-Gehäuse.
Die Excelitas C30645L-080 ist für den Einsatz bei einer Wellenlänge von 1550 nm optimiert und geeignet für den Einsatz in augensicheren Laserentfernungsmesssystemen.
Hauptmerkmale:
- Großflächige InGaAS APD mit 80 µm Durchmesser
- Kompaktes Keramik-SMD-Gehäuse
- Spektralempfindlichkeit 1000 nm bis 1700 nm
- Geringes Rauschen und niedriger Dunkelstrom
- Hohe Verstärkung und Quantenausbeute
- Bandbreite größer als 1000 MHz
- Individuell angepasste Modifikationen möglich
Anwendungen:
- LiDAR-/ToF-Messungen
- Augensichere Laser-Entfernungsmessung
- LiDAR
- Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR)
- Optische Kommunikationssysteme
- Laserscanning
Aktiver Durchmesser: 80 µm
Durchbruchspannung: 45 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,4 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 5 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,35 pA/√Hz
Kapazität: 1,45 pF
Bandbreite: >1000 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: SMD
Aktiver Durchmesser: 80 µm
Durchbruchspannung: 45 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,4 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 5 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,35 pA/√Hz
Kapazität: 1,45 pF
Bandbreite: >1000 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: SMD