C30662ECERH – InGaAs APD, 200 µm, Keramiksubstrat
Die C30662ECERH InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 200 µm auf einem keramischen Substrat.
Die C30662ECERH ist für den Einsatz bei einer Wellenlänge von 1550 nm optimiert und eignet sich für augensichere Laser-Entfernungsmesssysteme.
Hauptmerkmale:
- Großflächige InGaAS APD mit 200 µm Durchmesser
- Keramisches Substrat
- Spektrale Empfindlichkeit: 1000 nm bis 1700 nm
- Geringes Rauschen und niedriger Dunkelstrom
- Hohe Verstärkung und Quantenausbeute
- Bandbreite größer als 850 MHz
- Individuell angepasste Modifikationen möglich
Anwendungen:
- Laser Entfernungsmessung
- Optische Kommunikation
- Laserscannen und Bildgebung
- Spektrometrie und Reflektometrie
Aktiver Durchmesser: 200 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 45 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,7 pA/√Hz
Kapazität: 2,5 pF
Bandbreite: 850 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: 2x4 mm keramisches Substrat
Aktiver Durchmesser: 200 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 45 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,7 pA/√Hz
Kapazität: 2,5 pF
Bandbreite: 850 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: 2x4 mm keramisches Substrat