C30662EH-1 – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 Gehäuse
Die C30662EH-1 InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit großer Apertur und ist nach Delta V selektiert.
Die C30662EH-1 InGaAs-APD ist für eine Wellenlänge von 1550 nm optimiert und eignet sich für den Einsatz in augensicheren Laser Entfernungsmesssystemen.
Hauptmerkmale:
- Großflächige InGaAS APD mit 200 µm Durchmesser
- Hermetisches TO-18 Gehäuse. Große Apertur
- Spektrale Empfindlichkeit: 1000 nm bis 1700 nm
- Geringes Rauschen und niedriger Dunkelstrom
- Hohe Verstärkung und Quantenausbeute
- Bandbreite größer als 850 MHz
- Selektiert nach Delta-V > 4 V
- Individuell angepasste Modifikationen möglich
Anwendungen:
- Laser Entfernungsmessung
- Optische Kommunikation
- Laserscannen und Bildgebung
- Spektrometrie und Reflektometrie
C30662EH-1:
Aktiver Durchmesser: 200 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Vbd-Vop: >4 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 45 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,7 pA/√Hz
Kapazität: 2,5 pF
Bandbreite: 850 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: TO-18
Fensteröffnung: 2 mm
Fensterart: Glas
C30662EH-1:
Aktiver Durchmesser: 200 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Vbd-Vop: >4 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 45 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,7 pA/√Hz
Kapazität: 2,5 pF
Bandbreite: 850 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: TO-18
Fensteröffnung: 2 mm
Fensterart: Glas