C30662EH-3 – InGaAs-APD, 200 um, TO-18, kleine Apertur
Die großflächige C30662EH-3 InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm und wird in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit Glasfenster und kleiner Öffnung geliefert.
Die C30662EH-3 ist für die Verwendung mit der Wellenlänge 1550 nm optimiert und für den Einsatz in augensicheren Laser-Entfernungsmesssystemen geeignet.
Hauptmerkmale:
- Großflächige InGaAS APD mit 200 µm Durchmesser
- Hermetisch versiegeltes TO-18-Gehäuse. Kleine Apertur.
- Spektrale Empfindlichkeit: 1000 nm bis 1700 nm
- Geringes Rauschen und niedriger Dunkelstrom
- Hohe Verstärkung und Quantenausbeute
- Bandbreite größer als 850 MHz
- Individuell angepasste Modifikationen möglich
Anwendungen:
- Laser-Entfernungsmessung
- Optische Kommunikation
- Laserscannen und Bildgebung
- Spektrometrie und Reflektometrie
Aktiver Durchmesser: 200 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 45 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,7 pA/√Hz
Kapazität: 2,5 pF
Bandbreite: 850 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: TO-18
Fensteröffnung: klein 0,8 mm
Fensterart: Glas
Aktiver Durchmesser: 200 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 45 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,7 pA/√Hz
Kapazität: 2,5 pF
Bandbreite: 850 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: TO-18
Fensteröffnung: klein 0,8 mm
Fensterart: Glas