
C30733EH-1 – InGaAs APD, 30 µm, TO-18 Niedrigprofil
Die kleinflächige C30733EH-1 InGaAs Avalanche-Photodiode bietet einen aktiven Durchmesser von 30 µm und wird in einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert. Die C30733EH-1 ist für den Wellenlängenbereich von 1310 nm bis 1650 nm optimiert und eignet sich für High-End-Prüfgeräte, bei denen eine extrem schnelle Ansprech- und Erholungszeit erforderlich ist, wie z. B. OTDRs in der Telekommunikation.
Hauptmerkmale:
- Spektralempfindlichkeit 1000 nm bis 1700 nm
- Typische Betriebsverstärkung von 40
- Kleine aktive Fläche von 30 μm
- Hohe Empfindlichkeit
- Geringer Dunkelstrom und niedriges Rauschen
- Robustes und hermetisches Metall-TO-Gehäuse
- Bandbreite über 2 GHz
- Erhältlich auch mit FC/APC-Faserpigtailstecker, Teilenummer C30733BQC-01
Anwendungen:
- Telekommunikationsprüfgeräte (z. B. OTDR)
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Optische Kommunikation
- Laserscannen und Bildgebung
- Spektrometrie und Reflektometrie
Aktiver Durchmesser: 30 µm
Durchbruchspannung: 45 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 37,6 A/W (M=40)
Dunkelstrom: < 10 nA (M=40)
Dunkelrauschen: < 0,5 pA/√Hz (M=40)
Kapazität: 0,5 pF
Verstärkungsfaktor: 40
Quantenausbeute: 75 % (1300 nm – 1550 nm)
Gehäuse: TO-18
Aktiver Durchmesser: 30 µm
Durchbruchspannung: 45 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 37,6 A/W (M=40)
Dunkelstrom: < 10 nA (M=40)
Dunkelrauschen: < 0,5 pA/√Hz (M=40)
Kapazität: 0,5 pF
Verstärkungsfaktor: 40
Quantenausbeute: 75 % (1300 nm – 1550 nm)
Gehäuse: TO-18