SP205-01/SP205-01T, Fpak
Der Solidtron™ SP205-01 ist ein ultraschneller Hochspannungsthyristor in einem kundenspezifischen F-Pak-SMT-Gehäuse. Der SP205-01T ist identisch mit dem SP205-01} mit der Ausnahme, dass seine Pads vor dem abschließenden Test mit 63Sn-37Pb-Lot robotergesteuert verzinnt wurden.
Eigenschaften:
- 1500 V Wiederkehrende Aus-Zustand-Spannung
- Aus-Zustand-Leckstrom ≤1,0 µA @ 1500 V @ 85oC
- VGK = 0 V = AUS-ZUSTAND
- 120 kA/µs dI/dt-Fähigkeit
- Geringe Einschalt- und Leitungsverluste
- 3 kA Wiederholungs-Stoßstrom
Anwendungen:
- LEEFI Sprengkörper
- Elektronische Sicherheits- und Scharfschaltungsvorrichtungen
- Zündsicherheitsvorrichtungen
- Zündungsmodule
- Kondensatorentladungseinheiten
|
Maximale Bewertungen |
Symbol |
Wertvoll |
Einheiten |
|
Wiederkehrende Anodenspannungs-Spitzenwerte im Aus-Zustand |
VDRM |
1500 |
V |
|
Wiederkehrende Anoden-Spitzen-Umkehrspannung |
VRRM |
-10 |
V |
|
Änderungsrate der Spannungsimmunität im Aus-Zustand (VD=1500 V) |
dv/dt |
1000 |
V/µSec |
|
Nicht-Wiederkehrender Stoßstrom (1/2 Sinus, Impulsdauer ≤200 nSec) |
ITSM |
3500 |
A |
|
Wiederkehrender Stoßstrom (1/2 Sinus, Impulsdauer ≤200 nSec) |
ITRM |
3000 |
A |
|
Änderungsrate des Stromes |
dI/dt |
120 |
kA/µSec |
|
Kritisches Kondensator-Entladungsereignis-Integral (unterdämpfte LCR-Schaltung) |
I2tKRITISCH |
1,18 |
A2sec |
|
Wiederkehrendes Kondensator-Entladungsereignis-Integral (unterdämpfte LCR-Schaltung) |
I2tWIEDERKEHREND |
1,0 |
A2sec |
|
Wiederkehrende Spitzensperrspannung für Reverse Gate |
VRGM |
-5 |
V |
|
Forward Gate-Strom (≤10 µSec Dauer, eckige Wellenform) |
IGM |
10 |
A |
|
Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich |
TJ |
-55 bis +125 |
oC |
|
Maximale garantierte Aus-Zustand-Gate-Spannung |
0 |
V |
|
|
Maximale Lötinstallationstemperatur (siehe Vorsicht bei Feuchtigkeitsempfindlichkeit) |
220 |
oC |
|
|
Lagertemperaturbereich (siehe Vorsichtshinweise zu Feuchtigkeitsempfindlichkeit und Lötbarkeit) |
-55 bis +150 |
oC |
|
|
Maximale Bewertungen |
Symbol |
Wertvoll |
Einheiten |
|
Wiederkehrende Anodenspannungs-Spitzenwerte im Aus-Zustand |
VDRM |
1500 |
V |
|
Wiederkehrende Anoden-Spitzen-Umkehrspannung |
VRRM |
-10 |
V |
|
Änderungsrate der Spannungsimmunität im Aus-Zustand (VD=1500 V) |
dv/dt |
1000 |
V/µSec |
|
Nicht-Wiederkehrender Stoßstrom (1/2 Sinus, Impulsdauer ≤200 nSec) |
ITSM |
3500 |
A |
|
Wiederkehrender Stoßstrom (1/2 Sinus, Impulsdauer ≤200 nSec) |
ITRM |
3000 |
A |
|
Änderungsrate des Stromes |
dI/dt |
120 |
kA/µSec |
|
Kritisches Kondensator-Entladungsereignis-Integral (unterdämpfte LCR-Schaltung) |
I2tKRITISCH |
1,18 |
A2sec |
|
Wiederkehrendes Kondensator-Entladungsereignis-Integral (unterdämpfte LCR-Schaltung) |
I2tWIEDERKEHREND |
1,0 |
A2sec |
|
Wiederkehrende Spitzensperrspannung für Reverse Gate |
VRGM |
-5 |
V |
|
Forward Gate-Strom (≤10 µSec Dauer, eckige Wellenform) |
IGM |
10 |
A |
|
Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich |
TJ |
-55 bis +125 |
oC |
|
Maximale garantierte Aus-Zustand-Gate-Spannung |
0 |
V |
|
|
Maximale Lötinstallationstemperatur (siehe Vorsicht bei Feuchtigkeitsempfindlichkeit) |
220 |
oC |
|
|
Lagertemperaturbereich (siehe Vorsichtshinweise zu Feuchtigkeitsempfindlichkeit und Lötbarkeit) |
-55 bis +150 |
oC |
|