SP245-01, Cpak
Der Solidtron™ SP245-01 ist ein fortschrittlicher stromgesteuerter Hochspannungs-Thyristor in einem kundenspezifischen CPak-SMT-Gehäuse. Er wurde speziell zur Erfüllung der IPC 2221 Abschnitt 6.3 für Spannungsabstände in jeder Höhe entwickelt.
Eigenschaften:
- 1500 V Wiederkehrende Aus-Zustand-Spannung
- VGK = 0 V = AUS-ZUSTAND
- 100 kA/µs dI/dt-Fähigkeit
- Geringe Einschaltverzögerung
- Niedriger Leitungsverlust
- 3,5 kA Wiederholungs-Stoßstrom
Anwendungen:
- LEEFI Sprengkörper
- Elektronische Sicherheits- und Scharfschaltungsvorrichtungen
- Zündsicherheitsvorrichtungen
- Zündungsmodule
- Kondensatorentladungseinheiten
Maximale Bewertungen |
Symbol |
Wertvoll |
Einheiten |
Wiederkehrende Spitzen-Aus-Zustand-Spannung |
VDRM |
1500 |
V |
Wiederkehrender Spannungsabfall in Sperrichtung |
VRRM |
-10 |
V |
Änderungsrate der Spannungsimmunität im Aus-Zustand (VD=1500 V) |
dv/dt |
1000 |
V/µSec |
Nicht-wiederkehrender Spitzenstoßstrom (1/2 Sinus-Impulsdauer =/<300 nSec) |
ITSM |
4000 |
A |
Wiederkehrender Spitzenstoßstrom (1/2 Sinus-Impulsdauer =/<300 nSec) |
ITRM |
3500 |
A |
Änderungsrate des Stromes |
dI/dt |
100 |
kA/µSec |
Kritisches Kondensator-Entladungsereignis-Integral (unterdämpfte LCR-Schaltung) |
I2tKRITISCH |
TBD |
A2sec |
Wiederkehrendes Kondensator-Entladungsereignis-Integral (unterdämpfte LCR-Schaltung) |
I2tWIEDERKEHREND |
2 |
A2sec |
Kontinuierliche Gate-Kathoden-Umkehrspannung |
VGKS |
-9 |
V |
Vorwärtsspitzen-Gate-Strom (10 µs Dauer) |
IGM |
10 |
A |
Erforderliche Aus-Zustand-Gate-Kathodenspannung |
VGDM |
0 |
V |
Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich |
TJ |
-55 bis +125 |
oC |
Maximale Lötinstallationstemperatur (siehe Vorsicht bei Feuchtigkeitsempfindlichkeit) |
220 |
oC |
|
Lagertemperaturbereich (siehe Vorsichtshinweise zu Feuchtigkeitsempfindlichkeit und Lötbarkeit) |
-55 bis +150 |
oC |
Maximale Bewertungen |
Symbol |
Wertvoll |
Einheiten |
Wiederkehrende Spitzen-Aus-Zustand-Spannung |
VDRM |
1500 |
V |
Wiederkehrender Spannungsabfall in Sperrichtung |
VRRM |
-10 |
V |
Änderungsrate der Spannungsimmunität im Aus-Zustand (VD=1500 V) |
dv/dt |
1000 |
V/µSec |
Nicht-wiederkehrender Spitzenstoßstrom (1/2 Sinus-Impulsdauer =/<300 nSec) |
ITSM |
4000 |
A |
Wiederkehrender Spitzenstoßstrom (1/2 Sinus-Impulsdauer =/<300 nSec) |
ITRM |
3500 |
A |
Änderungsrate des Stromes |
dI/dt |
100 |
kA/µSec |
Kritisches Kondensator-Entladungsereignis-Integral (unterdämpfte LCR-Schaltung) |
I2tKRITISCH |
TBD |
A2sec |
Wiederkehrendes Kondensator-Entladungsereignis-Integral (unterdämpfte LCR-Schaltung) |
I2tWIEDERKEHREND |
2 |
A2sec |
Kontinuierliche Gate-Kathoden-Umkehrspannung |
VGKS |
-9 |
V |
Vorwärtsspitzen-Gate-Strom (10 µs Dauer) |
IGM |
10 |
A |
Erforderliche Aus-Zustand-Gate-Kathodenspannung |
VGDM |
0 |
V |
Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich |
TJ |
-55 bis +125 |
oC |
Maximale Lötinstallationstemperatur (siehe Vorsicht bei Feuchtigkeitsempfindlichkeit) |
220 |
oC |
|
Lagertemperaturbereich (siehe Vorsichtshinweise zu Feuchtigkeitsempfindlichkeit und Lötbarkeit) |
-55 bis +150 |
oC |