VTH2110 – Si PD, Chip-Form, 25 mm2
Die VTH2110 ist eine Silizium-Photodiode in Chipform für die optimale Erkennung von Alphateilchen, z. B. für Anwendungen zur Detektion von Radongas. Diese Photodiode bietet ein verbessertes Ansprechen auf die zu untersuchende Strahlung, ein strahlungsfestes Chipdesign und eine große aktive Fläche von 5x5 mm.
Diese Silizium-Fotodiode mit geringer Sperrschichtkapazität bietet eine 25 mm2 große aktive Fläche und eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm.
Diese Serie von Fotodioden in Chipform bietet eine hohe Empfindlichkeit für Alphateilchen. Diese wird durch das Chipdesign und die Vermeidung von Absorption durch Fensteraufbauten ermöglicht. Die große Fläche ermöglicht eine maximale Erfassung von Niedrigstrahlung. Für Anwendungen, die eine größere aktive Fläche benötigen, bieten wir das VTH2120 mit einer aktiven Fläche von 10x10 mm an.
Diese Photodioden sind entweder in Waffle-Packs oder in Mylar (bevorzugt) verfügbar. Wir können auch Baugruppen der nächsten Stufe besprechen. Um weitere Informationen zu erhalten, kontaktieren Sie bitte unsere Produktexperten.
Hauptmerkmale:
- Optimiert für die Detektion von Alphateilchen
- Lieferung in Chip-Form
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Niedriger Dunkelstrom
- Strahlungsbeständig
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Radon-Detektion
- Detektion von Alphateilchen
- Umgebungslichtsensorik
Aktive Fläche: 25 mm2
Dunkelstrom: max. 2 nA bei 20 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 30 pF bei 20 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 940 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,70 A/W
Durchbruchspannung > 100 V
Aktive Fläche: 25 mm2
Dunkelstrom: max. 2 nA bei 20 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 30 pF bei 20 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 940 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,70 A/W
Durchbruchspannung > 100 V