零件号
VTP1012H
VTP1012H - Si PD, TO-46, 1.6mm2
VTP1012H是采用气密TO-46扁平窗口封装的硅光电二极管。此光电二极管在可见光和近红外光谱范围内的响应速度更快，同时具有极高的分流电阻、弱暗电流和低电容。
快速响应硅光电二极管
我们的快速响应硅光电二极管，提供低结电容，可实现快速响应能力。这些硅光电二极管可以在反向偏置下工作，以减小电容并进一步提高响应速度，或者在不太注重响应速度的设备中，以光伏模式工作。这些设备在红外光谱范围内具有出色的响应能力，可以完美匹配埃赛力达的红外LED VTE系列。
产品清单
零件号
VTP1112H
VTP1112H - Si PD, TO-46带透镜, 1.6 mm2
VTP1112H是采用气密TO-46带透镜封装的硅光电二极管，在可见光和近IR光谱范围内提供增强的响应度。此光电二极管具有极高分流电阻、弱暗电流、低电容和视场窄等特点。
零件号
VTP1188SH
VTP1188SH - Si PD, 带透镜陶瓷封装, 11 mm2
VTP1188SH是一种带透镜陶瓷封装的硅光电二极管。这种光电二极管在可见光或近红外光谱范围内增强响应，并且具有很高的分流电阻、低暗电流和低电容的特征。
零件号
VTP1232FH
VTP1232FH - Si PD, T1 3/4 扁平封装, 2.326 mm2
VTP1232FH是一种采用透明端面T1¾扁平封装的硅光电二极管。这种光电二极管在可见近IR范围内有增强的响应，具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。
零件号
VTP1232H
VTP1232H - Si PD, T1 3/4 带透镜, 2.326 mm2
VTP1232H是一种采用透明T1¾带透镜封装的硅光电二极管。VTP1232H硅光电二极管在可见光和近IR光谱范围内增强响应，并具有很高的分流电阻、低暗电流和低电容的特点。
零件号
VTP1332FH
VTP1332FH - Si PD, T1 3/4扁平封装IRT, 2.326 mm2
VTP1332FH是一种采用可见光屏蔽T1¾平面封装的硅光电二极管。该光电二极管在近IR光谱范围内具有增强的响应，并具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。
零件号
VTP1332H
VTP1332H - Si PD, T1 3/4 带透镜的IRT, 2.326 mm2
VTP1332H是一种采用可见光屏蔽T1¾透镜封装的硅光电二极管。这种光电二极管在近IR光谱范围内具有增强的响应，具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。
零件号
VTP3310LAH
VTP3310LAH - Si PD, T1带透镜, 0.684 mm2
VTP3310LAH是一种采用透明端面长T1透镜封装的硅光电二极管。这种光电二极管在可见光和近IR光谱范围内有增强的响应，并具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。
零件号
VTP3410LAH
VTP3410LAH - Si PD, T1带透镜的IRT, 0.684 mm2
VTP3410LAH是一种采用可见光屏蔽、端面封装、长条T1滤镜封装的硅光电二极管。该光电二极管在近IR光谱范围内具有增强的响应，并具有极高分流电阻、低暗电流和低电容的特点。
零件号
VTP4085SH
VTP4085SH - Si PD, 陶瓷型, 21 mm2, 低Id
VTP4085SH是安装在涂有环氧树脂的陶瓷基板上的硅光电二极管，具有快速响应和低暗电流的特点。
零件号
VTP6060H
VTP6060H - Si PD, TO-8, 20.6mm2
VTP6060H是一种大面积的、采用密封TO-8封装、带扁平窗口的硅光电二极管，具有宽视野、快速响应和低暗电流的特点。
零件号
VTP7110H
VTP7110H - Si PD,带透镜的侧视封装, 0.684 mm2
VTP7110H是一种采用带透镜侧面封装，具有快速响应、低暗电流和宽视野特征的硅光电二极管。
零件号
VTP8350H
VTP8350H - Si PD, 陶瓷型, 7.45 mm2
VTP8350H是安装在涂有环氧树脂的陶瓷基板上的硅光电二极管。该光电二极管具有视野宽、响应快、暗电流小的特点。
零件号
VTP8440H
VTP8440H - Si PD, 陶瓷型, 5.16 mm2
VTP8440H是一种安装在涂有环氧树脂的8 mm陶瓷基板上的硅光电二极管。该光电二极管具有快速响应和低暗电流的特点。
零件号
VTP8740STRH
VTP8740STRH - Si PD，SMT侧面安装，5.269 mm2
VTP8740STRH是一种带集成透镜的、采用透明表面贴装塑料封装的硅光电二极管，具有宽视野、快速响应和低暗电流的特点。