零件号
S25-250
-25kV, 250W电子抑制电源
-25千伏、10 mA 250瓦特电源采用高频准谐振开关模式设计，该设计采用基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电源逆变器，并具有完全空气绝缘的高压部分。该系统的容错设计提供了开路和短路保护。高频开关设计的优点之一是储存能量低，可快速响应瞬态变化，增强对负载与设备操作员的保护。
离子束高压电源
在半导体器件制造、金属表面处理以及材料科学研究市场中，用于离子注入的电源的性能和质量要求无可匹敌。我们的电源系列的电源和技术具备的性能和质量能够满足这些设备的严格要求。
产品清单
零件号
S40-1K
-40kV, 1kW电子抑制电源
-40千伏、25 mA 1瓦特电源采用高频准谐振开关模式设计，该设计采用基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电源逆变器，并具有完全空气绝缘的高压部分。该系统的容错设计提供了开路和短路保护。高频开关设计的优点之一是储存能量低，可快速响应瞬态变化，增强对负载与设备操作员的保护。
零件号
S40-500
-40kV, 500W电子抑制电源
-40千伏、12.5 mA 500瓦特电源采用高频准谐振开关模式设计，该设计采用基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电源逆变器，并具有完全空气绝缘的高压部分。该系统的容错设计提供了开路和短路保护。高频开关设计的优点之一是储存能量低，可快速响应瞬态变化，增强对负载与设备操作员的保护。