采用S封装的905nm脉冲激光二极管
零件/ QPGAS1S03H

QPGAS1S03H - 905nm四腔3密耳脉冲激光二极管

QPGAS1S03H是金属封装的高效905nm脉冲激光二极管,由条带宽度为75µm的单堆叠四腔芯片构成,在10A时测得31W的功率和100 ns的宽脉冲,亦可使用其它各种封装提供。

这款多腔905nm脉冲激光二极管采用金属封装设计,适用于高级测距应用。

埃赛力达提供一系列905nm激光器,包括多腔单片结构,每个芯片有多达四个的感光腔室,从而提供高达100W的光学输出峰值功率。多达三个激光芯片的物理堆叠可产生高达300W的光学峰值功率。

  • • 905nm脉冲激光器
  • • QPGA系列:四腔芯片系列
  • • 系列单芯片堆叠器件
  • • 多腔激光器浓缩了发射源的尺寸
  • • 量子阱结构
  • • 高峰值脉冲功率
  • • 出色的温度稳定性
  • • 905nm脉冲激光器
  • • QPGA系列:四腔芯片系列
  • • 系列单芯片堆叠器件
  • • 多腔激光器浓缩了发射源的尺寸
  • • 量子阱结构
  • • 高峰值脉冲功率
  • • 出色的温度稳定性
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