C30659-1550-R08BH – Récepteur InGaAs APD, 80 um, TO-8, 200 MHz
Les récepteurs InGaAs APD de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit.
La série C30659 comporte un inverseur avec un émetteur-suiveur utilisé comme étape tampon de sortie.
Les Si APD utilisées dans ces appareils sont les mêmes que celles utilisées dans les produits Excelitas C30817EH, C30902EH, C30954EH et C30956EH, tandis que les InGaAs APD sont utilisées dans les produits C30645EH et C30662EH. Ces détecteurs offrent une très bonne réponse entre 830 et 1550 nm et des temps de montée et de descente très rapides à toutes les longueurs d'onde. La section de préamplificateur du module utilise une partie frontale GaAs FET à très faible bruit conçue pour fonctionner à une transimpédance plus élevée que notre série standard C30950.
Le dispositif C30659-1550-R08BH comprend une InGaAs APD C30645EH Excelitas, optimisée à 1550 nm.
- System bandwidth: 200 MHz
- Ultra low noise equivalent power (NEP)
- 250 fW/√Hz at 1300 nm
- 220 fW/√Hz at 1550 nm
- Spectral response range: Peak at 1550 nm
- Typical power consumption: 150 mW
- ±5 V amplifier operating voltages
- 50 Ω AC load capability (AC-Coupled)
- Hermetically-sealed TO-8 package
- High reliability
- System bandwidth: 200 MHz
- Ultra low noise equivalent power (NEP)
- 250 fW/√Hz at 1300 nm
- 220 fW/√Hz at 1550 nm
- Spectral response range: Peak at 1550 nm
- Typical power consumption: 150 mW
- ±5 V amplifier operating voltages
- 50 Ω AC load capability (AC-Coupled)
- Hermetically-sealed TO-8 package
- High reliability