APD au silicium C39737LH dans un boîtier à support en céramique sans plomb Excelitas
PIÈCE/ C30737LH-230-80N

C30737LH-230-80N – PDA Si, 230 um, LCC, 800 nm amélioré

La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-230-80N présente un diamètre actif de 800 µm et une réponse améliorée à 230 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).

Caractéristiques principales :

  • Forte réactivité entre 500 et 1000 nm
  • Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 1,5 GHz
  • Diamètre actif de 230 μm optimisé pour une une sensibilité de pointe à 800 nm
  • Option de support en céramique sans plomb « LH »

Utilisations :

  • LiDAR
  • Télémétrie laser
  • Analyse de sécurité
  • Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant

Diamètre actif 230 μm
Longueur d’onde de sensibilité maximale 800 nm
Tension de claquage Vbd 120-210 regroupement de données possible)
Coefficient de température de Vop pour M constant 0,5 V/°C
Gain 100 @800nm
Sensibilité 50 A/W à 800 nm
Courant d'obscurité 0.05 <0.5 nA
Courant de bruit 0,1 pA/√Hz
Capacitance 1 pF
Temps de montée/descente 0.2 ns, charge de résistance = 50Ω
Fréquence de coupure 1,5 GHz
Température d'entreposage -50 °C à +100 °C
Température de fonctionnement -40 °C à +85 °C
Boîtier 3 x 3 mm, fenêtre en verre, support en céramique sans plomb (LCC)
Fenêtre Standard
Diamètre actif 230 μm
Longueur d’onde de sensibilité maximale 800 nm
Tension de claquage Vbd 120-210 regroupement de données possible)
Coefficient de température de Vop pour M constant 0,5 V/°C
Gain 100 @800nm
Sensibilité 50 A/W à 800 nm
Courant d'obscurité 0.05 <0.5 nA
Courant de bruit 0,1 pA/√Hz
Capacitance 1 pF
Temps de montée/descente 0.2 ns, charge de résistance = 50Ω
Fréquence de coupure 1,5 GHz
Température d'entreposage -50 °C à +100 °C
Température de fonctionnement -40 °C à +85 °C
Boîtier 3 x 3 mm, fenêtre en verre, support en céramique sans plomb (LCC)
Fenêtre Standard
Fermer