C30737LH-500-81N – PDA Si, 500 um, LCC, filtre 635 nm, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-500-81N présente un diamètre actif de 500 µm avec une réponse améliorée à 800 nm et une bande passante optique de 635 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Caractéristiques principales :
- Haute sensibilité filtrée à 635 nm
- Faible bruit et temps de montée extrêmement rapide à toutes les longueurs d'onde avec une réponse en fréquence supérieure à 1,3 GHz
- Diamètre actif de 500 μm optimisé à 800 nm
- Filtre passe-bande optique à 635 nm
- Option de support en céramique sans plomb « LH »
Utilisations :
- LiDAR
- Télémétrie laser
- Analyse de sécurité
- Applications nécessitant un détecteur peu coûteux et très performant
Active Diameter: 500μm
Peak Sensitivity Wavelength: 635 nm
Breakdown Voltage Vbd: 120-210 (binning available)
Temperature Coefficient of Vop for Constant M: 0.5V/°C
Gain: 100 @ 635 nm
Responsivity: 35A/W at 900 nm
Dark Current Id: 0.1 < 1.0 nA
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Capacitance: 2 pF
Rise/Fall Time: 0.3 ns R load = 50Ω
Cut-off Frequency: 1.3 GHz
Storage Temp: -50°C to +100°C
Operating Temp: -40°C to +85°C
Package: 3x3mm glass window, leadless ceramic carrier (LCC)
Window: 635 nm filter
Active Diameter: 500μm
Peak Sensitivity Wavelength: 635 nm
Breakdown Voltage Vbd: 120-210 (binning available)
Temperature Coefficient of Vop for Constant M: 0.5V/°C
Gain: 100 @ 635 nm
Responsivity: 35A/W at 900 nm
Dark Current Id: 0.1 < 1.0 nA
Noise Current: 0.1 pA/√Hz
Capacitance: 2 pF
Rise/Fall Time: 0.3 ns R load = 50Ω
Cut-off Frequency: 1.3 GHz
Storage Temp: -50°C to +100°C
Operating Temp: -40°C to +85°C
Package: 3x3mm glass window, leadless ceramic carrier (LCC)
Window: 635 nm filter