C30902EH – PDA Si, 0,5 mm, TO-18
Les photodiodes à avalanche C30902EH d'Excelitas sont des PDA en silicium à structure « reach-through » à haute vitesse et à grande surface qui offrent une grande responsivité et un faible bruit. Elles sont spécialement conçues pour les applications à faible luminosité qui nécessitent des gains types supérieurs à 100 et sont proposées dans plusieurs configurations de boîtiers TO-18 sous forme de verre plat, de lentille sphérique, de conduit de lumière et de filtre de 905 nm.
PDA de type « reach-through » à faible bruit pour la détection à faible luminosité
La série de photodiodes à avalanche C30902EH est fabriquée avec une structure « reach-through » à double diffusion. Cette structure offre une haute responsivité entre 400 et 1000 nm ainsi que des temps de montée et de descente extrêmement rapides à toutes les longueurs d'onde. La responsivité du dispositif est indépendante de la fréquence de modulation jusqu'à généralement 800 MHz. La puce du détecteur est hermétiquement scellée derrière une fenêtre en verre plat dans un boîtier TO-18 modifié. Le diamètre utile de la surface photosensible est de 0,5 mm.
La série des PDA C30902 comprend également un PDA capable de détecter un seul photon (SPAD) qui peut fonctionner en mode Geiger et en mode linéaire avec des gains nettement plus élevés. Veuillez consulter la fiche technique du modèle C30902SH pour en savoir plus.
Caractéristiques et avantages :
- Si PDA de 0,5 mm dans un boîtier TO-18
- Rendement quantique élevé typique de 84 % à 800 nm
- Faible bruit à température ambiante
- Responsivité de photodétection élevée : gains d'avalanche internes supérieurs à 150
- Intervalle de réponse spectrale : de 400 à 1100 nm
- Temps de réponse typique de 0,4 ns
- Large plage de température de fonctionnement : de -40 °C à +85 °C
Utilisations :
- LiDAR/Mesures de temps de vol
- Réflectomètre optique dans le domaine temporel
- Fluorescence pour signaux faibles
- Balayage laser
Active Area: 0.2 mm²
Active Diameter: 0.5 mm
Breakdown Voltage: Typ. 225 V
Capacitance: 1.5 pF
Temperature Coefficient: Typ. 0.7 V/°C
Dark Current: 7 nA
Dark Noise: 0.1 pA/√Hz
Noise Equivalent Power: 1.23 fW/√Hz
Typical Responsivity: 80 A/W at 800nm
Recommended Gain: 150
Package: TO-18, flat window
Active Area: 0.2 mm²
Active Diameter: 0.5 mm
Breakdown Voltage: Typ. 225 V
Capacitance: 1.5 pF
Temperature Coefficient: Typ. 0.7 V/°C
Dark Current: 7 nA
Dark Noise: 0.1 pA/√Hz
Noise Equivalent Power: 1.23 fW/√Hz
Typical Responsivity: 80 A/W at 800nm
Recommended Gain: 150
Package: TO-18, flat window