Diode laser à impulsions de 905 nm dans un boîtier en S
PIÈCE/ QPGAS2S09H

Diode laser à impulsions à double pile et à quatre cavités de 9 mils QPGAS2S09H, 905 nm

La diode laser à impulsions à cavité triple de 905 nm QPGAS2S09H à haute efficacité dans un boîtier en métal comprend une puce à double pile et à quatre cavités avec une largeur de bande de 225 µm. Elle fournit 200 W à 30 A avec une impulsion de 100 ns, en plus de se décliner en différents formats.

Cette diode laser à impulsions de 905 nm à cavités multiples est présentée dans un boîtier en métal pour les utilisations de télémétrie de pointe.

Excelitas offre un vaste éventail de lasers de 905 nm, y compris des structures monolithiques à plusieurs cavités comprenant jusqu'à quatre cavités actives par puce. Cela se traduit par une puissance de sortie optique de pointe maximale de 100 W. En empilant physiquement jusqu'à trois puces laser, il est possible d'atteindre une puissance optique de pointe pouvant atteindre 300 W.

• 905 nm pulsed laser
• QPGA Series: Quad cavity chip series
• Range of single chip and stacked devices
• Multi cavity lasers concentrate emitting source size
• Quantum well structure
• High peak pulsed power
• Excellent power stability with temperature

• 905 nm pulsed laser
• QPGA Series: Quad cavity chip series
• Range of single chip and stacked devices
• Multi cavity lasers concentrate emitting source size
• Quantum well structure
• High peak pulsed power
• Excellent power stability with temperature

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