Photodiodes au silicium à sensibilité améliorée à la lumière bleue Excelitas 
PIÈCE/ VTB5051UVH

VTB5051UVH – Photodiode au silicium, TO-5, 14,8 mm2, fenêtre UV

La VTB5051UVH est une photodiode au silicium dans un boîtier hermétique TO-5 à fenêtre plane avec sensibilité aux UV améliorée. Cette photodiode offre une réponse améliorée dans le domaine spectral des UV, en plus de présenter une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité.

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Cette photodiode au silicium à sensibilité aux UV améliorée dotée d'un boîtier hermétique TO-5 plat présente une surface active de 14,8 mm2 avec une réponse spectrale optimale entre 200 et 1100 nm.

Cette série de photodiodes planar au silicium P-sur-N a été conçue pour offrir une réponse optimale dans la partie UV et visible du spectre. Ces photodiodes sont principalement destinées à une utilisation en mode photovoltaïque mais peuvent également fonctionner avec une faible tension de polarisation inverse. Elles présentent une résistance de dérivation très élevée, ce qui se traduit par de faibles déviations lorsqu'elles sont utilisées dans des circuits amplificateurs opérationnels à changement d'impédance et à gain élevé.

Caractéristiques et avantages :

  • Domaine spectral allant de l'UV au proche infrarouge
  • Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
  • Très faible courant d'obscurité
  • Très haute résistance de dérivation
  • Conforme à la directive RoHS

Utilisations :

  • Détection des UV et de la lumière bleue
  • Photomètres
  • Détection des flammes
  • La photométrie

Active area = 14.8 mm2

Short Circuit Current = Minimum 85 µA at 100 fc, 2850 K

Dark Current = Maximum 250 pA at 2 V Reverse Bias

Junction Capacitance = Typical 3 nF at 0 V Bias

Spectral Range = 200 nm to 1100 nm

Peak Spectral Response = 920 nm

Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.5 A/W

Sensitivity at 365 nm = Typical 0.1 A/W

Sensitivity at 220 nm = Minimum 0.038 A/W

Angular Response = ±50 Degrees at 50% Response

Active area = 14.8 mm2

Short Circuit Current = Minimum 85 µA at 100 fc, 2850 K

Dark Current = Maximum 250 pA at 2 V Reverse Bias

Junction Capacitance = Typical 3 nF at 0 V Bias

Spectral Range = 200 nm to 1100 nm

Peak Spectral Response = 920 nm

Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.5 A/W

Sensitivity at 365 nm = Typical 0.1 A/W

Sensitivity at 220 nm = Minimum 0.038 A/W

Angular Response = ±50 Degrees at 50% Response

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