VTB6061H – Photodiode au silicium, TO-8, 37,7 mm2
La VTB6061H est une photodiode au silicium dans un boîtier hermétique TO-8 à fenêtre plane. Avec une réponse accrue dans le domaine spectral bleu, cette photodiode présente une très haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité.
Cette photodiode au silicium présente une surface active de 37,7 mm2 et est conçue pour offrir une réponse spectrale optimale entre 320 et 1100 nm.
Cette série de photodiodes planar au silicium P-sur-N a été conçue pour offrir une réponse optimale dans la partie visible du spectre. Ces photodiodes sont principalement destinées à une utilisation en mode photovoltaïque mais peuvent également fonctionner avec une faible tension de polarisation inverse. Elles ont également été conçues pour présenter une résistance de dérivation très élevée, ce qui se traduit par de faibles déviations lorsqu'elles sont utilisées dans des circuits amplificateurs opérationnels à changement d'impédance et à gain élevé.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral allant de l'UV au proche infrarouge
- Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies.
- Très faible courant d'obscurité
- Très haute résistance de dérivation
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Détection des UV et de la lumière bleue
- Photomètres
- Détection des flammes
- La photométrie
Active area = 37.7 mm2
Short Circuit Current = Minimum 260 µA at 100 fc, 2850 K
Dark Current = Maximum 2 nA at 2 V Reverse Bias
Junction Capacitance = Typical 8 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 320 nm to 1100 nm
Peak Spectral Response = 920 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.5 A/W
Angular Response = ±55 Degrees at 50% Response
Active area = 37.7 mm2
Short Circuit Current = Minimum 260 µA at 100 fc, 2850 K
Dark Current = Maximum 2 nA at 2 V Reverse Bias
Junction Capacitance = Typical 8 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 320 nm to 1100 nm
Peak Spectral Response = 920 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.5 A/W
Angular Response = ±55 Degrees at 50% Response