VTB8441BH – Photodiode au silicium, boîtier en céramique de 8 mm, 5,16 mm2, faible courant d'obscurité, filtre IR
La VTB8441BH est une photodiode au silicium à sensibilité améliorée à la lumière bleue dotée d'un boîtier creux en céramique de 8 mm protégé par une couche d'époxy transparent. Avec un filtre de rejet des IR intégré pour limiter la réponse dans la partie visible du spectre, cette photodiode présente une très haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité.
La photodiode au silicium VTB8441BH à sensibilité améliorée à la lumière bleue présente une surface active de 5,16 mm2. Elle est principalement destinée à une utilisation en mode photovoltaïque, mais peut également fonctionner avec une faible tension de polarisation inverse. Cette photodiode a également été conçue pour présenter une résistance de dérivation très élevée, ce qui se traduit par de faibles déviations lorsqu'elle est utilisée dans des circuits amplificateurs opérationnels à changement d'impédance et à gain élevé.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral visible
- Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
- Très faible courant d'obscurité
- Très haute résistance de dérivation
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Détection de la luminosité
- Photomètres
- Détection des flammes
- La photométrie
Active area = 5.16 mm2
Short Circuit Current = Minimum 4 µA at 100 fc, 2850 K
Dark Current = Maximum 100 pA at 2 V Reverse Bias
Junction Capacitance = Typical 1.0 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 330 nm to 720 nm
Peak Spectral Response = 580 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.29 A/W
Angular Response = ±50 Degrees at 50% Response
Active area = 5.16 mm2
Short Circuit Current = Minimum 4 µA at 100 fc, 2850 K
Dark Current = Maximum 100 pA at 2 V Reverse Bias
Junction Capacitance = Typical 1.0 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 330 nm to 720 nm
Peak Spectral Response = 580 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.29 A/W
Angular Response = ±50 Degrees at 50% Response