Photodiodes au silicium série VTP Excelitas standards de l'industrie
PIÈCE/ VTP1188SH

Photodiode au silicium VTP1188SH, céramique avec lentille, 11 mm2

La VTP1188SH est une photodiode au silicium dans un boîtier en céramique avec lentille. Cette photodiode offre une réponse améliorée dans le domaine spectral du visible et de l'infrarouge proche, en plus de présenter une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité et une faible capacitance.

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Cette photodiode au silicium à réponse rapide offre une surface active de 11 mm2 et est conçue pour fournir une réponse spectrale allant de 400 à 1100 nm.

Cette série de photodiodes est conçue pour présenter une faible capacité de jonction afin d'obtenir des temps de réponse rapides et pour fonctionner sous polarisation inverse afin de diminuer la capacitance et d'augmenter encore plus la vitesse de réponse. Ces photodiodes peuvent également fonctionner en mode photovoltaïque dans des utilisations où la vitesse de réponse n'est pas critique.

Ces dispositifs offrent une excellente réponse dans la gamme de longueurs d'ondes IR et conviennent parfaitement à la série VTE à DEL infrarouge d'Excelitas.

Caractéristiques et avantages :

  • Domaine spectral allant du visible au proche infrarouge
  • Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
  • Faible courant d'obscurité
  • Haute résistance de dérivation
  • Faible capacitance
  • Réponse rapide
  • Haute tolérance à la tension inverse
  • Conforme à la directive RoHS

Utilisations :

  • la détection de la fumée
  • Lecture de codes à barres
  • Photomètres
  • Oxymètres de pouls

Active area = 11 mm2 active area

Short Circuit Current = Typical 200 µA at 100 fc, 2850 K

Short Circuit Current = Minimum 13 µA at 100 µW/cm2, 880 nm

Dark Current = Maximum 30 nA at 10 mV Reverse Bias

Junction Capacitance = Maximum 0.3 nF at 0 V Bias

Spectral Range = 400 nm to 1100 nm

Peak Spectral Response = 925 nm

Sensitivity at peak wavelength = Typical 0.55 A/W

Active area = 11 mm2 active area

Short Circuit Current = Typical 200 µA at 100 fc, 2850 K

Short Circuit Current = Minimum 13 µA at 100 µW/cm2, 880 nm

Dark Current = Maximum 30 nA at 10 mV Reverse Bias

Junction Capacitance = Maximum 0.3 nF at 0 V Bias

Spectral Range = 400 nm to 1100 nm

Peak Spectral Response = 925 nm

Sensitivity at peak wavelength = Typical 0.55 A/W

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