PIÈCE/ YAG-100AH
Photodiodes de série YAG-100 – Si PIN – 2,54 mm
Les détecteurs PIN au silicium de la série YAG d'Excelitas Technologies sont des photodiodes Si PIN de type N ou P à haute performance offertes en boîtiers TO hermétiques.
Ces photodiodes offrent une bonne performance sur la gamme de longueurs d'onde de 400 à 1100 nm, ainsi qu'une meilleure responsivité aux IR, ce qui les rend idéales pour les applications de détection à 1064 nm.
Un anneau de garde recueille le courant généré en dehors de la zone active, ce qui garantit que le courant ne produira pas de bruit.
En raison de sa grande surface active, le dispositif est utile pour obtenir des informations positionnelles à partir de points focalisés et défocalisés en mode pulsé ou continu.
Caractéristiques principales et avantages :
- Efficacité quantique élevée à 1064 nm
- Style de boîtier : boîtier TO hermétique
- Offert en configuration de type N ou P
- Diamètre de la surface active (mm) : 2,5
| Diamètre de la surface active (mm) | 2,5 |
| Région active par élément (mm²) | 4,9 |
| Capacité type par quadrant (pF) | 12 |
| Responsivité type à 900 nm (A/W) | 0,60 |
| Responsivité type à 1064 nm (A/W) | 0,44 |
| Responsivité type à 1064 nm pour le suffixe -AR (A/W) | 0,47 |
| Temps de montée type, charge de 50 Ω (ns) | 12 |
| Tension de fonctionnement maximale (V) | 180 |
| Tension de claquage minimale (V) | 200 |
| Capacitance type (pF) | 2,5 |
| Courant d'obscurité type (nA) | 11 |
| Courant d'obscurité maximal (nA) | 20 |
| Courant de bruit type (pA/ |
0,06 |
| Puissance équivalente au bruit (NEP) à 1064 nm (pW/ |
0,08 |
| Boîtier | TO-8 personnalisé |
| Gamme de températures de stockage (℃) | -De 55 à 125 |
| Gamme de températures de fonctionnement (℃) | -De 55 à 125 |
| Diamètre de la surface active (mm) | 2,5 |
| Région active par élément (mm²) | 4,9 |
| Capacité type par quadrant (pF) | 12 |
| Responsivité type à 900 nm (A/W) | 0,60 |
| Responsivité type à 1064 nm (A/W) | 0,44 |
| Responsivité type à 1064 nm pour le suffixe -AR (A/W) | 0,47 |
| Temps de montée type, charge de 50 Ω (ns) | 12 |
| Tension de fonctionnement maximale (V) | 180 |
| Tension de claquage minimale (V) | 200 |
| Capacitance type (pF) | 2,5 |
| Courant d'obscurité type (nA) | 11 |
| Courant d'obscurité maximal (nA) | 20 |
| Courant de bruit type (pA/ |
0,06 |
| Puissance équivalente au bruit (NEP) à 1064 nm (pW/ |
0,08 |
| Boîtier | TO-8 personnalisé |
| Gamme de températures de stockage (℃) | -De 55 à 125 |
| Gamme de températures de fonctionnement (℃) | -De 55 à 125 |