埃赛力达C30724EH Si APD
零件/ C30724EH-2

C30724EH-2—硅APD,500um,TO封装,905nm滤光片

C30724EH-2硅雪崩光电二极管(Si APD)采用金属TO封装,提供905 nm滤光片和低温系数。

C30724EH-2硅APD采用改良型TO-18封装,内置905 nm窄通滤光片。该硅APD特别适合大批量905 nm激光测距应用,可以在固定电压下运行,无需温度补偿。

主要特点:

  • 采用金属TO封装带905 nm滤光片的Si APD
  • 5 ns上升+下降时间-无拖尾
  • 低放大倍数下运行
  • 无需温度补偿

应用领域:

  • 激光测距
  • 激光测距仪
  • 交通测速枪

有效区域 0.2mm2
感光直径 0.5 mm
击穿电压 350V
电容 1 pF
暗电流 20 nA
增益 >12, 15, <18
噪声电流 0.1 pA/√Hz
封装 TO-18
峰值灵敏度波长 920 nm
光敏直径 0.5 mm
光敏直径 0.5 mm
响应度 920 nm时为8.5 A/W
上升/下降时间 5 ns
总暗电流(基板+表面) 20 nA
工作电压范围 150-200 V
波长 905 nm
有效区域 0.2mm2
感光直径 0.5 mm
击穿电压 350V
电容 1 pF
暗电流 20 nA
增益 >12, 15, <18
噪声电流 0.1 pA/√Hz
封装 TO-18
峰值灵敏度波长 920 nm
光敏直径 0.5 mm
光敏直径 0.5 mm
响应度 920 nm时为8.5 A/W
上升/下降时间 5 ns
总暗电流(基板+表面) 20 nA
工作电压范围 150-200 V
波长 905 nm
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