雪崩光电二极管

埃赛力达同时提供硅（Si）和铟镓砷（InGaAs）材质的雪崩光电二极管（APD）。硅APD覆盖从400nm至1100nm的光谱范围，铟镓砷APD覆盖从950nm至1550nm的光谱范围。雪崩光电二极管（APD）具有比标准光电二极管更高的灵敏度，而且雪崩光电二极管适用于低强度光线检测和光子计数。

在许多设备中，使用APD光电探测器代替PIN光电探测器，可以提高灵敏度。APD光电检测器通常用于放大器噪声较高的设备中，例如，比PIN光电检测器中的放大器噪声高得多的设备。

埃赛力达光子探测产品目录

高性能Si APD

The high performance rear entry “reach-through” silicon APDs offer the best compromise in terms of cost and performance for applications requiring high-speed and low-noise photon detection from 400 nm up to 1100 nm. These Si APDs feature low noise, high quantum efficiency and high gain...
查看详情

大面积UV增强型APD

大面积的紫外线增强型硅雪崩光电二极管（Si APD），旨在用于光谱范围从400 nm以下到700 nm以上的各种宽波段微光应用。这些低噪声、低电容和高增益硅APD可采用扁平封装……
查看详情

混合光学APD接收器模块

埃赛力达混合光学APD接收器模块在同一密封包装内同时采用PIN或APD光电检测器和跨阻放大器。将放大器和光电检测器都放在同一封装中，可以从周围环境中拾取低噪声并减少……
查看详情

大容量、高成本效益型Si APD

Our C30724 Series of APDs provide high responsivity in the wavelength range of 800 to 950 nm and are designed to meet the needs of high-volume and low-cost applications. The C30724EH is in a hermetically-sealed TO-18 can. The C30724EH-2 is a modified TO-18 with a built in 905 nm narrow...
查看详情

APD四象限探测器

The Excelitas C30927 family of Avalanche Photodiode (APD) Arrays and Quadrants utilize a double-diffused "reach-through" structure essentially eliminating dead space between pixels for optimal performance. This structure provides ultra-high sensitivity at 400-1000 nm. Three different variants...
查看详情

高性能铟镓砷APD

The InGaAs Avalanche Photodiode product family from Excelitas features active area sizes ranging from 30 µm to 200 µm, catering to various applications requiring photonic detection between 1000 nm and 1700 nm. The C30645, C30662, and C30733 series of avalanche photodiodes (APDs) are high-speed, high...
查看详情

1064nm长波长增强型硅APD

The 1064nm Long-Wavelength Enhanced Si APDs (C30954EH, C30955EH, and C30956EH) are made using a double-diffused “reach-through” structure. The design of these photodiodes are such that their long wave response (i.e. >900 nm) has been enhanced without introducing any undesirable...
查看详情
联系我们
相关内容

Application Note: Laser Damage Threshold of Avalanche Photodiodes

注意：如果您禁用了我们的营销Cookie，您将无法访问我们的视频或下载内容。要更新您的Cookie偏好，请单击此处，查看并启用Cookie。
同意协议

请阅读以下内容并表明您同意或不同意：

感谢您对埃赛力达的关注。我们将尽快回复您的电子邮件查询。

埃赛力达尊重您的隐私。我们希望定期向您介绍光子技术各领域的产品、服务和发展情况，以便您在应用和系统中加以采用。

因此，请允许我们保存并使用您的联系信息，以进行偶尔的电子邮件通信。

请注意，埃赛力达绝不会分享或出售您的联系信息。

我已阅读下面有关埃赛力达保存和使用我的个人数据以用于通过手机、电子邮件和/或邮政进行联系的许可声明。

依照数据保护法作出的许可声明
我允许埃赛力达及其附属公司收集、处理和使用我在此处提交的数据，前提是此等使用仅限于市场调查活动，或以向我提供有关Excelitas Technologies Corp.或其附属公司的服务、产品或活动的相关信息为目的。我的许可涉及通过电话、电子邮件或信件收到的此类信息。

视频：用于LiDAR和测距仪的下一代激光器和探测器

注意：如果您禁用了我们的营销Cookie，您将无法访问我们的视频或下载内容。要更新您的Cookie偏好，请单击此处，查看并启用Cookie。
同意协议

请阅读以下内容并表明您同意或不同意：

感谢您对埃赛力达的关注。我们将尽快回复您的电子邮件查询。

埃赛力达尊重您的隐私。我们希望定期向您介绍光子技术各领域的产品、服务和发展情况，以便您在应用和系统中加以采用。

因此，请允许我们保存并使用您的联系信息，以进行偶尔的电子邮件通信。

请注意，埃赛力达绝不会分享或出售您的联系信息。

我已阅读下面有关埃赛力达保存和使用我的个人数据以用于通过手机、电子邮件和/或邮政进行联系的许可声明。

依照数据保护法作出的许可声明
我允许埃赛力达及其附属公司收集、处理和使用我在此处提交的数据，前提是此等使用仅限于市场调查活动，或以向我提供有关Excelitas Technologies Corp.或其附属公司的服务、产品或活动的相关信息为目的。我的许可涉及通过电话、电子邮件或信件收到的此类信息。

其他资源
为何选择埃赛力达作为雪崩光电二极管解决方案供应商？

埃赛力达在光电子行业拥有数十年的丰富经验，在为原始设备制造商和最终用户客户设计和制造先进的光电子解决方案方面已成为行业领导者。我们致力于提供符合您的目标并与您的预期应用无缝集成的产品，解决您所面临的最大挑战。

我们对质量的承诺包括我们的雪崩光电二极管，这些产品可在各种应用中提高光灵敏度。雪崩光电二极管具有卓越的性能，特别是在放大器噪声远高于PIN光电探测器的应用以及极低亮度 (LLL) 检测和光子计数应用中。在寻找符合您需求的光电二极管解决方案时，请联系埃赛力达的技术专精。

雪崩光电二极管有哪些不同用途？

雪崩光电二极管（APD）是一种半导体器件，具有更高的光子探测灵敏度，能够测量极低亮度的光并将其转换为电信号。它们具有与PIN光电二极管类似的结构，但可在最大反向偏置条件下工作，使得光子影响生成的电子和空穴倍增。

具有高光子检测灵敏度的APD被广泛用于需要检测敏感光的应用，如共聚焦显微镜和PET扫描仪。

你们提供哪些类型的雪崩光电二极管？

埃赛力达提供硅 (Si) 和铟镓砷（InGaAs）APD。其光谱范围分别为400 nm至1100 nm和950 nm至1550 nm。我们全面的先进APD解决方案包括以下各项：

  • 高性能硅APD - 具有低噪声和高量子效率，在成本和性能之间提供最佳的折衷方案，尤其适用于需要在400 nm和1100 nm之间进行高速、低噪声检测的应用。
  • 大面积UV增强型APD - 适用于光谱范围400 nm以下到700 nm以上的各种宽带低光度应用。这些类型的APD提供扁平封装，适用于需要直接检测或易于耦合到闪烁晶体的应用。
  • 混合光学APD接收器模块－这些模块采用密封封装，内含一个光电探测器和一个跨阻放大器，可以从周围环境中拾取低噪声并减少寄生电容。
  • 高容量、高成本效益的硅APD - 该系列APD在800至950 nm波长范围内具有高响应度，专为高容量、低成本应用而设计。
  • APD四象限探测器 - 采用双扩散“直通”结构，在400至1000 nm波长范围内提供超高灵敏度，能够消除像素之间的死角，有助于实现最佳性能。
  • 高性能铟镓砷APD - 大面积、高速APD，可在1100 nm和1700 nm之间的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。
  • 1064nm长波长增强型硅APD - 采用双扩散“直通”结构制造，可在不引入不良特性的情况下实现长波响应。这些APD在1060 nm波长下的量子效率高达40%。
雪崩光电二极管有哪些应用？

雪崩光电二极管根据雪崩倍增原理工作，可在器件内部进行信号放大。最适合在以下应用中测量低强度光信号：

  • 激光显微镜
  • PET扫描仪
  • 激光扫描仪
  • 激光测距仪
  • 测速枪
  • 条形码读取器
  • 通信中的光纤接收器
  • 光学时域反射仪（OTDR）

这些功能广泛应用于多个行业，包括电信、国防、航空航天、医学成像、科学研究、环境监测、制造、安防和监控。

你们是否提供定制雪崩光电二极管解决方案？

是的。埃赛力达自豪地为客户提供各种现成的产品，以满足客户的目标和要求，确保与您当前的系统轻松集成。但如果您有更特殊的应用需求，我们也能满足您的特殊要求。

尽管我们的产品符合制造和设计的最高标准，但我们真正的能力在于将您的愿景变为现实。我们可以在从设计到制造的所有生产和开发阶段与您合作，让您的愿景与我们的生产标准保持一致，确保我们的最终产品满足您的期望，同时优化质量、成本和上市时间。如果您正在寻找符合您和您的最终用户需求的定制解决方案，请与我们联系。