高性能铟镓砷APD

高性能InGaAs雪崩光电二极管(APD)C30644、C30645和C30662系列是高速、大面积InGaAs/lnP雪崩光电二极管。这些器件在1100 nm和1700 nm之间的光谱范围内提供高量子效率、高响应度,并且具有低噪声。他们经过优化,用于1550 nm波长,是人眼安全激光测距系统的理想设备。

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为什么应该选择埃赛力达作为高性能铟镓砷APD供应商?
因其提供的尖端解决方案,埃赛力达在业界领先的先进光子解决方案方面广受认可。这些解决方案可精确探测光粒子,并确保每台设备在其预期应用中的可靠性能。埃赛力达拥有超过30年的行业经验,有信心为您提供满足您的要求和需要的解决方案。我们全面的光子解决方案组合包括由铟镓砷制成的高性能APD,它们具有出色的量子效率、高速性能以及与现有系统的简化集成。我们在提供可靠解决方案方面享有盛誉,这意味着您可以获得适用于预期应用的卓越技术。
高性能铟镓砷APD有哪些不同用途?
雪崩光电二极管(APD)是一种半导体,主要用于检测光信号并将其转换为电信号。这些APD可以使用铟、镓和砷制造,其优势在于能够以高效率和高灵敏度检测近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光。它们还与现有技术兼容,可集成到各种设备架构中,更易于在各种应用中采用,如光学传感、光探测和测距(激光雷达)、光子计数和探测等。
你们提供哪些类型的高性能铟镓砷APD?
埃赛力达提供种类繁多的铟镓砷高性能APD,这些产品专为需要在NIR和SWIR范围内具有高灵敏度光子检测能力和快速响应时间的应用而设计。以下产品构成了我们全面的铟镓砷APD产品:
  • C30645ECERH - 铟镓砷APD, 80µm, 陶瓷型 - 采用陶瓷基板载体,具有80 µm的感光直径。
  • C30645EH - 铟镓砷APD, 80µm, TO-18薄型 - 采用气密TO-18封装和小孔径硅窗口,具有80 µm的感光直径。
  • C30645L-080 - 铟镓砷APD, 80µm, SMD封装 - 在1000 nm和1700 nm光谱范围内以低噪声提供高响应度和高量子效率的高速APD。它们还在紧凑的SMD封装中提供80 µm的感光直径。
  • C30662ECERH - 铟镓砷APD, 200µm, 陶瓷型 - 此大面积铟镓砷APD采用陶瓷基板载体,提供200 µm的感光直径。
  • C30662ECERH-1 - 铟镓砷APD, 200µm, 陶瓷型 - 也提供200 µm的感光直径,采用具有Delta Vbd-Vop > 4V的陶瓷基板载体。
  • C30662EH - 铟镓砷APD, 200µm, TO-18 - 采用气密TO-18封装和大孔径玻璃窗口,提供200 µm的感光直径。
  • C30662EH-1 - 铟镓砷APD, 200µm, TO-18 - 具有类似C30662EH的功能,但具有Delta Vbd-Vop > 4V的性能。
  • C30662EH-3 - 铟镓砷APD, 200µm, TO-18, 小孔径 - 类似C30662EH的封装和功能,但具有小孔径玻璃窗口。
  • C30662L-200 - 铟镓砷APD, 200µm, SMD封装 - 这些高性能APD速度快、面积大,在1000 nm和1700 nm光谱范围内提供高量子效率和响应度,同时将噪声降至最低。它们采用紧凑型SMD封装,提供200 µm的感光直径。
  • C30733BQC-01铟镓砷APD, 30µm光纤尾纤带FC/APC连接器 - 这款高速、高增益检测器具有高增益、快速恢复时间和低噪声性能的独特组合,是高端测试设备的理想选择,为要求信噪比在1000 nm和1700 nm之间的高速应用开创了新趋势。
  • C30733EH-1 - 铟镓砷APD, 30µm, TO-18薄型 - 这款小面积APD针对1310 nm至1650 nm波长范围进行了优化,采用气密TO-18封装,提供30 µm的感光直径。适用于需要极快响应和恢复时间的高端测试设备。
高性能铟镓砷APD有哪些应用?
埃赛力达的高性能铟镓砷APD具有高灵敏度的光子检测能力,在以下应用中备受青睐:
  • LiDAR / ToF测量
    • 人眼安全激光测距
    • 大量消费应用
    • 光学时域反射仪(OTDR)
    • 光通信系统
    • 激光扫描
  • 共聚焦显微镜
  • 自由空间通信
  • 分光光度计
  • 荧光探测
  • DNA测序仪
  • 粒径分析
你们是否提供定制高性能铟镓砷APD?
埃赛力达提供多种现成的高性能铟镓砷APD,为NIR和SWIR范围的检测和测量提供可靠的器件,我们为此深感自豪。我们开发的高质量产品可满足OEM客户的需求,使他们也能提供满足其最终用户需求的解决方案。请浏览我们全面的产品组合,寻找符合您业务要求的解决方案。但如果您有任何特殊要求,而我们的产品又无法满足,我们欢迎您与我们联系。我们可以在不影响质量、成本和上市时间的前提下,合作开发能满足您特殊需求的解决方案。
高性能铟镓砷雪崩光电二极管​​​​​​​

产品清单

零件号
C30645ECERH

C30645ECERH - InGaAS APD, 80um, 陶瓷型

C30645ECERH大面积InGaAs雪崩光电二极管(APD)采用陶瓷基座载体,具有80 µm的感光直径。
零件号
C30645EH

C30645EH - InGaAs APD, 80um, TO-18 薄型

C30645EH大面积InGaAs雪崩光电二极管采用气密TO-18封装和小孔径硅窗口,具有80 µm感光直径。
零件号
C30645L-080

C30645L-080 - InGaAs APD, 80um, SMD封装

埃赛力达C30645L-080雪崩光电二极管是一款高速、大面积InGaAs APD,可在1000 nm到1700 nm光谱范围内提供低噪音、高量子探测效率和高响应度。这种光电二极管采用紧凑型SMD封装并提供80 µm感光直径。
零件号
C30662ECERH

C30662ECERH - InGaAs APD, 200um, 陶瓷型

C30662ECERH大面积InGaAs雪崩光电二极管(APD)采用陶瓷基板载体,具有200 µm的感光直径。
零件号
C30662ECERH-1

C30662ECERH-1 - InGaAs APD, 200um, 陶瓷型

C30662ECERH-1大面积InGaAs雪崩光电二极管(APD)采用陶瓷基板载体,具有200 µm的感光直径,以及> 4V的Delta Vbd-Vop。
零件号
C30662EH

C30662EH - InGaAs APD, 200um, TO-18

C30662EH大面积InGaAs雪崩光电二极管(APD)采用带大孔径玻璃窗口的气密TO-18封装,具有200 µm的感光直径。
零件号
C30662EH-1

C30662EH-1 - InGaAs APD, 200um, TO-18

C30662EH-1大面积InGaAs雪崩光电二极管(APD)采用气密TO-18封装,提供200 µm的感光直径,以及具有Delta Vbd-Vop > 4V的大孔径玻璃窗口。
零件号
C30662EH-3

C30662EH-3 - 铟镓砷APD, 200um, TO-18, 小孔径

C30662EH-3大面积InGaAs雪崩光电二极管(APD)采用带小孔径玻璃窗口的气密TO-18封装,具有200 µm的感光直径。
零件号
C30662L-200

C30662L-200 - InGaAs APD, 200um, SMD封装

埃赛力达​​​​​​​C30662L-200雪崩光电二极管是高速大面积InGaAsAPD,可在1000 nm和1700 nm区间提供高量子探测效率、高响应性和低噪音。C30662L-200光电二极管在紧凑型SMD封装中提供200 µm的感光直径。
零件号
C30733BQC-01

C30733BQC-01 InGaAs APD, 30µm光纤尾纤带FC/APC连接器

埃赛力达C30733BQC-01雪崩光电二极管(APD)是一种高速、高增益、低噪声的InGaAs光子探测器。该InGaAs APD具有高增益和快速恢复时间的独特组合,再加上低噪声性能,使其成为高端测试设备的理想选择。C30733BQC-01的典型操作增益为40,在需要1000 nm至1700 nm同类最佳信噪比的高速应用中设立了新趋势。
零件号
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C30733EH-1 - InGaAs APD, 30um, TO-18薄型

埃赛力达C30733EH-1​​​​​​​小面积InGaAs雪崩光电二极管采用气密TO-18封装提供30 µm感光直径。C30733EH-1针对1310至1650 nm的波长范围进行了优化,适用于需要极快响应和恢复时间的高端测试设备,例如电信中的OTDR。