零件/ C30645EH
C30645EH - InGaAs APD, 80um, TO-18 薄型
C30645EH大面积InGaAs雪崩光电二极管采用气密TO-18封装和小孔径硅窗口，具有80 µm感光直径。
埃赛力达C30645EH经过优化，用于1550nm波长，是人眼安全型激光测距系统的理想选择。
功能与优点：
- 大面积InGaAs APD 80 µm直径
- 气密TO-18封装；小孔径硅
- 光谱响应：1100至1700 nm
- 低噪声和暗电流
- 高增益和高量子探测效率
- 带宽超过1000 MHz
- 可定制修改以满足特定需求
应用领域：
- 激光测距、扫描和视频成像
- 光学和自由空间通信
- 扫描和视频成像
- 光学和自由空间通信分光光度计和反射测量
感光直径：80 µm
击穿电压：40-70 V
温度系数：0.14V/°C
响应度：在1550 nm为9.3 A/W
暗电流：3 nA
光谱噪声电流：0.2 pA/√Hz
结电容：1.25 pF
带宽：1000 MHz
量子效率：在1300-1550nm为75%
增益：20
封装：TO-18
窗口孔径：小型0.8mm
窗口类型：硅阻隔<1100nm可见光
感光直径：80 µm
击穿电压：40-70 V
温度系数：0.14V/°C
响应度：在1550 nm为9.3 A/W
暗电流：3 nA
光谱噪声电流：0.2 pA/√Hz
结电容：1.25 pF
带宽：1000 MHz
量子效率：在1300-1550nm为75%
增益：20
封装：TO-18
窗口孔径：小型0.8mm
窗口类型：硅阻隔<1100nm可见光