埃赛力达​​​​​​​C30645L-080大面积InGaAs雪崩光电二极管
零件/ C30645L-080

C30645L-080 - InGaAs APD, 80um, SMD封装

埃赛力达C30645L-080雪崩光电二极管是一款高速、大面积InGaAs APD,可在1000 nm到1700 nm光谱范围内提供低噪音、高量子探测效率和高响应度。这种光电二极管采用紧凑型SMD封装并提供80 µm感光直径。

埃赛力达C30645L-080经过优化,用于1550 nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。

功能与优点:

  • 大面积InGaAs APD 80 µm直径
  • 紧凑型陶瓷SMD封装
  • 光谱响应范围1000 nm到1700 nm
  • 低噪声和暗电流
  • 高增益和高量子探测效率
  • 带宽超过1000 MHz
  • 可定制修改以满足特定需求


应用领域:

  • LiDAR / ToF测量
  • 人眼安全激光测距
  • LiDAR
  • 光学时域反射仪(OTDR)
  • 光通信系统
  • 激光扫描

感光直径:80 µm
击穿电压:45-70 V
温度系数:0.14V/°C
响应度:在1550 nm为9.4 A/W
暗电流:5 nA
光谱噪声电流:0.35 pA/√Hz
结电容:1.45 pF
带宽:大于1000 MHz
量子效率:在1300-1550nm为75%
增益:20
封装:SMD

感光直径:80 µm
击穿电压:45-70 V
温度系数:0.14V/°C
响应度:在1550 nm为9.4 A/W
暗电流:5 nA
光谱噪声电流:0.35 pA/√Hz
结电容:1.45 pF
带宽:大于1000 MHz
量子效率:在1300-1550nm为75%
增益:20
封装:SMD

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