零件号
C30927EH-01
C30927EH-01 - Si APD四象限探测器 - 1.5 mm - 1060 nm
C30927EH-01四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“直通”结构。
APD四象限探测器
埃赛力达C30927系列雪崩光电二极管（APD）阵列和象限探测器采用双扩散“穿透式”结构，从根本上消除了象限之间的盲区，以获得最佳性能。这种结构在400 nm到1000 nm范围内提供超高灵敏度。根据探测器不同的峰值工作波长（包括800、900和1060 nm），提供三种不同的产品型号。
产品清单
零件号
C30927EH-02
C30927EH-02硅APD四象限探测器 - 1.5mm - 900 nm
C30927EH-02四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“穿透式”结构。该象限结构有一个共用雪崩结，通过结对面的光入射p+表面分割来实现象限分离。采用这种设计，象限之间不存在死角，因此瞄准线上没有响应损失。C30927EH-02为在900 nm波长处使用进行了优化，在指定波长约50 nm的范围内工作时可提供高响应度和出色的性能。
零件号
C30927EH-03
C30927EH-03 - 硅APD四象限探测器 - 1.5mm - 800 nm
C30927EH-03四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“穿透式”结构。该象限结构有一个共用雪崩结，通过结对面的光入射p+表面分割来实现象限分离。采用这种设计，象限之间不存在死角，因此瞄准线上没有响应损失。C30927EH-03为在800 nm波长处使用进行了优化，在指定波长约50 nm的范围内工作时可提供高响应度和出色的性能。