零件/ C30927EH-03
C30927EH-03 - 硅APD四象限探测器 - 1.5mm - 800 nm
C30927EH-03四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“穿透式”结构。该象限结构有一个共用雪崩结，通过结对面的光入射p+表面分割来实现象限分离。采用这种设计，象限之间不存在死角，因此瞄准线上没有响应损失。C30927EH-03为在800 nm波长处使用进行了优化，在指定波长约50 nm的范围内工作时可提供高响应度和出色的性能。
象限雪崩光电二极管适用于广泛的跟踪和定位应用。
主要特性：
- 大于90º的光敏面感应区完全覆盖的全发散角
- 针对在800 nm处的工作进行了优化的高量子效率
- 快速响应时间
- 大感光面积：1.77 mm²
- 密封薄型TO-8封装
应用领域：
- 跟踪
- 对准
- “敌友”识别
| 击穿电压范围 (V) | 350至485 |
| 典型击穿电压 (V) | 425 |
| 典型增益 (M) | 100 |
| 恒定增益的典型温度系数 (V/℃) | 2.4 |
| 在800 nm的最低响应度 (A/W) | 45 |
| 在800 nm的典型响应度 (A/W) | 55 |
| 典型总暗电流 (nA) | 100 |
| 最大总暗电流 (nA) | 200 |
| 每个元件的典型噪声电流 (pA/√Hz) | 1.0 |
| 每个元件的最大噪声电流 (pA/√Hz) | 1.5 |
| 所有象限的典型总电容 (pF) | 3 |
| 所有象限的最大总电容 (pF) | 5 |
| 最大串联电阻 (Ω) | 15 |
| 典型上升和下降时间 (ns) | 3 |
| 储存温度 (℃) | -60至120 |
| 工作温度 (℃) | -40至60 |
| 击穿电压范围 (V) | 350至485 |
| 典型击穿电压 (V) | 425 |
| 典型增益 (M) | 100 |
| 恒定增益的典型温度系数 (V/℃) | 2.4 |
| 在800 nm的最低响应度 (A/W) | 45 |
| 在800 nm的典型响应度 (A/W) | 55 |
| 典型总暗电流 (nA) | 100 |
| 最大总暗电流 (nA) | 200 |
| 每个元件的典型噪声电流 (pA/√Hz) | 1.0 |
| 每个元件的最大噪声电流 (pA/√Hz) | 1.5 |
| 所有象限的典型总电容 (pF) | 3 |
| 所有象限的最大总电容 (pF) | 5 |
| 最大串联电阻 (Ω) | 15 |
| 典型上升和下降时间 (ns) | 3 |
| 储存温度 (℃) | -60至120 |
| 工作温度 (℃) | -40至60 |