象限雪崩光电二极管适用于广泛的跟踪和定位应用。
主要特性：
- 大于90º的光敏面感应区完全覆盖的全发散角
- 针对在800 nm处的工作进行了优化的高量子效率
- 快速响应时间
- 大感光面积：1.77 mm²
- 密封薄型TO-8封装
应用领域：
- 跟踪
- 对准
- “敌友”识别
击穿电压范围(V)：350至485
典型击穿电压(V)：425
典型增益(M)：100
恒定增益的典型温度系数(V/℃)：2.4
在800 nm处的最低响应度(A/W)：45
在800 nm处的典型响应度(A/W)：55
典型总暗电流(nA)：100
最大总暗电流(nA)：200
每个象限单元的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.0
每个象限单元的最大噪声电流(pA/√Hz)：1.5
所有象限的典型总电容(pF)：3
所有象限的最大总电容(pF)：5
最大串联电阻(Ω)：15
典型上升和下降时间(ns)：3
储存温度(℃)：-60至120
工作温度(℃)：-40至60
击穿电压范围(V)：350至485
典型击穿电压(V)：425
典型增益(M)：100
恒定增益的典型温度系数(V/℃)：2.4
在800 nm处的最低响应度(A/W)：45
在800 nm处的典型响应度(A/W)：55
典型总暗电流(nA)：100
最大总暗电流(nA)：200
每个象限单元的典型噪声电流(pA/√Hz)：1.0
每个象限单元的最大噪声电流(pA/√Hz)：1.5
所有象限的典型总电容(pF)：3
所有象限的最大总电容(pF)：5
最大串联电阻(Ω)：15
典型上升和下降时间(ns)：3
储存温度(℃)：-60至120
工作温度(℃)：-40至60