零件号
C30950EH
C30950EH - 硅APD接收器, 0.8mm, 50MHz, TO-8
C30950EH是一种50 MHz带宽的硅雪崩光电二极管(Si APD)放大器模块，并包括我们的C30817硅雪崩光电二极管(APD)。C30950EH的有效直径为0.8 mm，可在400至1100 nm之间提供良好的响应，并采用经过修改的12引脚TO-8封装。
混合光学APD接收器模块
埃赛力达混合光电APD接收器模块在同一密封包装内同时封装PIN或APD光电检测器和跨阻放大器。将放大器和光电检测器都放在同一封装中，可以减少从周围环境中拾取噪声并减少互连寄生电容，从而实现较低噪声运行。
产品清单
零件号
C30659-UV-1
C30659-UV-1 - 硅APD接收器, 1x1mm, 50MHz, TO-8, UV增强型
C30659-UV-1包含一个带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪声操作。
零件号
C30659-900-R5BH
C30659-900-R5BH - 硅APD接收器, 0.5mm, TO-8, 200MHz
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-900-R5BH装置采用C30902EH Si APD，后者在900nm具有峰值响应，感光直径为0.5nm。
零件号
C30659-900-R8AH
C30659-900-R8AH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 50MHz
C30659系列混合光学APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的TO-8封装以实现超低噪音工作。我们的C30659-900-R8AH装置采用C30817EH Si APD，后者在900nm具有峰值响应，感光直径为0.8nm。
零件号
C30659-1060-3AH
C30659-1060-3AH - 硅APD接收器，3mm, TO-8, 50MHz
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060-R3AH装置采用C30956EH Si APD，后者经过1060 nm优化，感光直径为3 mm。
零件号
C30659-1060-R8BH
C30659-1060-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 200MHz
C30659系列混合光学APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060-R8BH装置采用C30954EH Si APD，后者在1060nm经过优化，感光直径为0.8nm。
零件号
C30659-1060E-R8BH
C30659-1060E-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 200MHz, 高损伤阈值
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060E-R8BH装置采用C30954EH Si APD，后者经过1060nm优化，感光直径为0.8 mm。
零件号
C30659-1550-R08BH
C30659-1550-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-8, 200MHz
C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的TO-8封装，以实现超低噪音工作。
零件号
C30659-1550E-R08BH
C30659-1550E-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-8, 200MHz, 高损伤阈值
C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550E-R08BH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30645EH InGaAs APD。
零件号
C30659-1550-R2AH
C30659-1550-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz
C30659系列包括带有混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装以实现超低噪声操作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30662EH InGaAs APD。
零件号
C30659-1550E-R2AH
C30659-1550E-R2AH - InGaAs APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz, 高损伤阈值
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的埃赛力达C30662EH InGaAs APD。
零件号
LLAM-900-R5BH
LLAM-900-R5BH - 硅APD接收器, 0.5mm, TO-66, 200MHz, 致冷器
LLAM-900-R5BH是具有0.5mm感光直径，采用气密封装的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器。该Si APD接收器具有一个热电致冷器，并提供200 MHz的带宽。
零件号
LLAM-1060-R8BH
LLAM-1060-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-66, 200MHz, 致冷器
LLAM-1060-R8BH包含1060 nm Si APD的高速，低光探测模拟硅雪崩光电二极管（Si APD）接收器模块。该 (Si APD) 具有热电致冷器，可提供0.8感光直径和200 MHz带宽。
零件号
LLAM-1060E-R8BH
LLAM-1060E-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-66, 200MHz, 致冷器, 高损伤阈值
包含1060 nm硅（Si）APD的LLAM-1060E-R8BH高速，低光模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。这款Si APD具有热电致冷器，可提供0.8 mm的感光直径和200 MHz的带宽。
零件号
LLAM-1550-R08BH
LLAM-1550-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-66, 200MHz, 致冷器
LLAM-1550-R08BH包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块，具有热电致冷器。
零件号
LLAM-1550E-R08BH
LLAM-1550E-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-66, 200MHz, 致冷器, 高损伤阈值
LLAM-1550E-R08BH是一种高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器，其感光直径为 0.08mm，并配有热电致冷器。
零件号
LLAM-1550-R2AH
LLAM-1550-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-66, 50MHz, 致冷器
LLAM-1550-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该InGaAs APD接收器包含一个热电致冷器，并提供 50 MHz的带宽。
零件号
LLAM-1550E-R2AH
LLAM-1550E-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-66, 50MHz, 致冷器, 高损伤阈值
LLAM-1550E-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该APD接收器模块包含热电致冷器，可提供50 MHz的带宽和高损伤阈值。