埃赛力达C30659-1550-R08BH InGaAs APD接收器
零件/ C30659-1550-R08BH

C30659-1550-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-8, 200MHz

C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅(Si)或InGaAs雪崩光电二极管(APD),采用相同的TO-8封装,以实现超低噪音工作。

C30659系列采用反相放大器设计,带作为输出缓冲级的射极跟随器。

这些模块中Si APD与埃赛力达的C30817EH、 C30902EH、C30954EH和C30956EH产品中的相同,而InGaAs APD与C30645EH和C30662EH产品中的相同。这些检测器在830和1550 nm之间具有极佳响应度,而且在所有波长都具有极快的上升和下降时间。该模块的前置放大器部分使用超低噪声GaAs FET前端,设计用于在高于我们的标准C30950系列的跨阻下工作。

C30659-1550-R08BH装置包含一个经过1550 nm波长优化的埃赛力达C30645EH InGaAs APD。

  • 系统带宽:200 MHz
  • 超低等效噪声功率(NEP)
    • 在1300 nm处为250 fW/√Hz
    • 在1550 nm处为220 fW/√Hz
  • 光谱响应范围:峰值在1550 nm
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50 Ω交流负载能力(交流耦合)
  • 气密TO-8封装
  • 高可靠性

 

  • 系统带宽:200 MHz
  • 超低等效噪声功率(NEP)
    • 在1300 nm处为250 fW/√Hz
    • 在1550 nm处为220 fW/√Hz
  • 光谱响应范围:峰值在1550 nm
  • 典型功耗:150 mW
  • ±5 V放大器工作电压
  • 50 Ω交流负载能力(交流耦合)
  • 气密TO-8封装
  • 高可靠性

 

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