埃赛力达LLAM-1060E-R8BH硅APD接收器
零件/ LLAM-1060E-R8BH

LLAM-1060E-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-66, 200MHz, 致冷器, 高损伤阈值

包含1060 nm硅(Si)APD的LLAM-1060E-R8BH高速,低光模拟雪崩光电二极管(APD)接收器模块。这款Si APD具有热电致冷器,可提供0.8 mm的感光直径和200 MHz的带宽。

LLAM系列APD模块包含雪崩光电二极管芯片、热电(TE)致冷器和前置放大器,全部采用密封封装。完全符合RoHS标准的模块采用单个改良的12引线TO-66法兰封装,易于安装,并提供额外的散热功能。使用TE致冷器可确保在5°C至40°C环境温度范围内降低噪声并保持恒定的响应度。LLAM系列模块设计用于检测高速,弱光模拟信号。

埃赛力达的InGaAs LLAM-1060 E和-1550E前置放大器模块设计为具有更高的损坏阈值,因此在暴露于高光功率密度时具有更大的弹性。

LLAM-1060-R8BH内置埃赛力达C30954EH APD。

应用领域:

  • 激光测距
  • 目标识别
  • 分布式温度感测(DTS)
  • 共聚焦显微镜
  • 分析仪器
  • 高速,自由空间光通信

 

感光面积:0.5 mm²
感光直径:0.8 mm
带宽:200 MHz
NEP:

  • 830 nm时为30-90 fW/√Hz
  • 900 nm时为25-80 fW/√Hz
  • 1064 nm时为50-150 fW/√Hz

峰值灵敏度波长:1064 nm
响应度:

  • 830 nm时为325 kV/W
  • 900 nm时为370 kV/W
  • 1064 nm时为200 kV/W

上升/下降时间:2 ns
温度系数:2.2V/°C

感光面积:0.5 mm²
感光直径:0.8 mm
带宽:200 MHz
NEP:

  • 830 nm时为30-90 fW/√Hz
  • 900 nm时为25-80 fW/√Hz
  • 1064 nm时为50-150 fW/√Hz

峰值灵敏度波长:1064 nm
响应度:

  • 830 nm时为325 kV/W
  • 900 nm时为370 kV/W
  • 1064 nm时为200 kV/W

上升/下降时间:2 ns
温度系数:2.2V/°C

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