大面积UV增强型APD

大面积UV增强型硅雪崩光电二极管(Si APD),旨在用于光谱范围从400 nm以下到700 nm以上的各种宽泛的弱光检测应用。这些低噪声、低电容和高增益硅APD可采用扁平封装,用于直接检测或便于匹配闪烁晶体。

其他资源
为什么您应该选择埃赛力达作为大面积UV增强型APD供应商?
埃赛力达是先进光子解决方案的领先供应商,其设计旨在为每个应用实现最佳性能。我们卓越的解决方案以我们的UV增强硅雪崩光电二极管(Si APD)为首,专为要求低噪音、高量子效率和高增益,同时保持合理低工作电压的应用而设计。这种大面积UV增强硅APD面向从400nm以下到700nm以上的各种宽带低光应用。通过我们的创新技术,埃赛力达能够提供以市场为导向的光子解决方案,满足我们的OEM和最终用户客户的需求。
大面积UV增强型APD有哪些不同的用途?​​​​​​​
埃赛力达拥有全面的高性能UV增强型APD产品系列,充分利用光电效应将光能转化为电能。我们广泛的产品在制造过程中考虑了易操作性和卓越的波长响应能力,使它们成为正电子发射断层扫描(PET)以及医疗和生物医学领域的其他设备等高要求应用的理想选择。
你们提供哪些类型的大面积UV增强型APD解决方案?
埃赛力达自豪地提供全面的硅APD解决方案,以满足OEM和最终用户的广泛潜在应用。我们的大面积UV增强型硅APD解决方案包括:
  • C30626FH - 硅APD, 5x5mm, 扁平封装 - 实际尺寸为4.7x4.7 mm,其扁平包装设计能够直接检测或方便地耦合到闪烁晶体。
  • C30703FH - 硅APD, 10x10mm, 扁平封装 - 尺寸为10x10 mm,为超大面积而设计。其采用扁平封装,对蓝色波长响应进行了增强,在530nm左右达到峰值量子效率,使其成为辐射检测的理想选择。
  • C30703FH-200 - 硅APD, 10x10mm 扁平封装,无胶合窗口 - 也采用扁平封装装配,同时提供与C30703FH相同的性能水平。非常适合极大面积的辐射探测。
  • C30739ECERH - 硅APD, 陶瓷载体 - 覆盖光谱范围从低于400 nm到大于700 nm。具有低噪音、高增益、低电容和增强UV响应,在430 nm时的量子效率高于70%。该硅APD系列非常适用于微光应用,如分子成像。
  • C30739ECERH-2 - 硅APD, 陶瓷载体, 高增益 - 采用陶瓷载体封装,可方便地处理并耦合到闪烁晶体,如LSO和BGO。
大面积UV增强型APD有哪些应用?
埃赛力达凭借广泛的大面积硅APD产品处于创新前沿,这些产品的设计旨在实现以下应用中的最佳性能:
  • 核医学
  • 荧光探测
  • 高能物理学
  • 医学成像
  • 辐射探测
  • 粒子物理学
  • 仪器
  • 环境监测
你们是否提供定制的大面积UV增强型APD?
埃赛力达始终处于卓越技术和智能设计最前沿,其高性能APD产品在提供一流性能的同时,可与任何应用无缝集成。每件产品的生产都符合我们严格的生产标准,体现了我们对质量与卓越的持续承诺。这种对质量的承诺在满足我们客户的特殊要求时同样有效。如果您对定制产品有任何特殊要求或考虑,请与我们沟通,以便我们在设计和制造过程中满足这些要求。
埃赛力达大面积紫外线增强型硅APD

产品清单

零件号
C30626FH

C30626FH - 硅APD, 5x5mm,扁平封装

大面积C30626FH系列硅雪崩光电二极管(硅APD),尺寸为4.7 x 4.7mm,采用扁平封装,用于直接检测或便于匹配闪烁晶体。
零件号
C30703FH

C30703FH - 硅APD, 10x10mm,扁平封装

C30703FH系列硅雪崩光电二极管(Si APD)的尺寸为10 mm x 10 mm,设计用于超大面积,并采用适用于辐射探测的扁平封装。Si APD C30703具有增强的蓝光波长响应,以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。
零件号
C30703FH-200

C30703FH-200 - 硅APD, 10x10mm,扁平封装,无胶合窗口

C30703FH-200硅雪崩光电二极管(Si APD)的尺寸为10 mm x 10 mm,设计用于超大面积,并采用适用于辐射探测的扁平封装。C30703 Si APD具有增强的蓝光波长响应,以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。
零件号
C30739ECERH

C30739ECERH - 硅APD, 陶瓷载体

C30739ECERH短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应,并且在430 nm处的量子效率高于70%,专为低光度应用而设计,如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。
零件号
C30739ECERH-2

C30739ECERH-2 - 硅APD, 陶瓷载体,高增益

C30739ECERH-2短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应,并且在430 nm处的量子效率高于70%,专为低光度应用而设计,如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。