零件号 C30626FH C30626FH C30626FH - 硅APD, 5x5mm,扁平封装 大面积C30626FH系列硅雪崩光电二极管(硅APD),尺寸为4.7 x 4.7mm,采用扁平封装,用于直接检测或便于匹配闪烁晶体。 查看详情
零件号 C30703FH C30703FH C30703FH - 硅APD, 10x10mm,扁平封装 C30703FH系列硅雪崩光电二极管(Si APD)的尺寸为10 mm x 10 mm,设计用于超大面积,并采用适用于辐射探测的扁平封装。Si APD C30703具有增强的蓝光波长响应,以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。 查看详情
零件号 C30703FH-2… C30703FH-200 C30703FH-200 - 硅APD, 10x10mm,扁平封装,无胶合窗口 C30703FH-200硅雪崩光电二极管(Si APD)的尺寸为10 mm x 10 mm,设计用于超大面积,并采用适用于辐射探测的扁平封装。C30703 Si APD具有增强的蓝光波长响应,以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。 查看详情
零件号 C30739ECER… C30739ECERH C30739ECERH - 硅APD, 陶瓷载体 C30739ECERH短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应,并且在430 nm处的量子效率高于70%,专为低光度应用而设计,如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。 查看详情
零件号 C30739ECER… C30739ECERH-2 C30739ECERH-2 - 硅APD, 陶瓷载体,高增益 C30739ECERH-2短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应,并且在430 nm处的量子效率高于70%,专为低光度应用而设计,如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。 查看详情