埃赛力达的扁平封装硅雪崩光电二极管(Si APD)为正方形,尺寸为5x5mm,感光面积为25 mm2,在900 nm的响应度为22 A/W。
主要特性:
- 高量子效率
- 弱暗电流
- 易于与闪烁晶体耦合
应用
- 核医学
- 荧光探测
- 高能物理学
- 医学成像
- 辐射探测
- 粒子物理学
- 仪器
在900 nm的响应度为22 A/W
暗电流250nA
噪声谱密度0.5 pA /√Hz
电容,30 pF(100μm有效厚度)
20 pF(200μm有效厚度)
上升时间 5 ns
在900 nm的N.E.P.为23 fW /√Hz
在900 nm的响应度为22 A/W
暗电流250nA
噪声谱密度0.5 pA /√Hz
电容,30 pF(100μm有效厚度)
20 pF(200μm有效厚度)
上升时间 5 ns
在900 nm的N.E.P.为23 fW /√Hz