零件/ C30739ECERH
C30739ECERH - 硅APD, 陶瓷载体
C30739ECERH短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应，并且在430 nm处的量子效率高于70%，专为低光度应用而设计，如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。
功能与优点：
- 增强紫外响应的Si APD
- 在430 nm处高于70%的量子效率
- 扁平陶瓷包装 - 轻松耦合到闪烁晶体
- 非磁性封装
应用领域：
- 分子成像
- 核医学
- 荧光检测
- 高能物理
- 安全辐射探测
- 环境监测
- 感光面积：5.6x5.6 mm
- 击穿电压：400，<450 V
- 电容：60 pF
- 暗电流：1.5 nA
- 增益：>100
- 噪声电流：
- 响应时间：2 ns
- 响应度：在430 nm处，C30739ECERH为26 A/W，C30739ECERH-2为52 A/W，典型增益
- 上升/下降时间：2 ns
- 光谱噪声电流：C30739ECERH为0.3 pA/√Hz，C30739ECERH-2为0.4 pA/√Hz
- 波长：400-700nm
- 感光面积：5.6x5.6 mm
- 击穿电压：400，<450 V
- 电容：60 pF
- 暗电流：1.5 nA
- 增益：>100
- 噪声电流：
- 响应时间：2 ns
- 响应度：在430 nm处，C30739ECERH为26 A/W，C30739ECERH-2为52 A/W，典型增益
- 上升/下降时间：2 ns
- 光谱噪声电流：C30739ECERH为0.3 pA/√Hz，C30739ECERH-2为0.4 pA/√Hz
- 波长：400-700nm