高性能Si APD

对于需要以高速和低噪声进行从400 nm到1100 nm的光子检测的应用,高性能的后入“穿透式”硅APD在成本和性能方面提供了最佳折衷方案。这些硅APD具有低噪声、高量子效率和高增益的特点,同时保持了相当低的工作电压。感光面积从0.5 mm到3 mm不等。

其他资源
为什么应该选择埃赛力达作为高性能硅APD供应商?
埃赛力达科技是设计和制造先进光子解决方案的行业领导者,旨在满足客户需求,打造更健康、更安全、更具创新性的未来。凭借数十年的丰富经验,我们使用高质量材料创立了包括PN-、PIN- 和APD光电二极管在内的广泛的产品组合,帮助客户开发出处于技术前沿的产品。作为我们全面的光子产品组合的一部分,我们生产硅雪崩光电二极管 (APD),为需要高速、低噪声光子检测的应用制造高性能模块。
高性能硅APD有哪些不同用途?
APD是一种半导体,设计用于检测光信号并将其转换为电信号。高性能硅APD是高灵敏度的后入式“直通”器件,以低廉的价格提供一流的性能。这些器件最适用于需要在400 nm至1100 nm范围内进行高速、低噪声光子检测的应用。硅APD的有源面积从0.5 mm到3 mm不等,具有低噪声、高量子效率和高增益的特点,同时能在相当低的工作电压下工作。这些器件可用于需要超灵敏光子的应用,如生物医学和分析仪器。
你们提供哪些类型的硅APD?
埃赛力达提供各种硅APD,设计旨在以合理的低工作电压保持高性能,在成本与性能之间实现最佳平衡。为了满足客户的需要,我们提供全面的硅APD解决方案系列,包括:
  • C30902SH - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 光子计数 - 高速、大面积硅APD,可在低噪声水平下提供高响应度。
  • C30902SH-2 - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 光子计数, 905nm滤光片 - 高速、大面积硅APD,可在低噪声水平下提供高响应度,并配有905 nm滤光片,用于选择性透射或屏蔽905 nm波长的光。
  • C30902SH-TC - 硅APD, 0.5mm, TO-66, 光子计数, 单级致冷器 - 使用单级热电致冷器来保持各种热电元件的较低温度。
  • C30902SH-DTC - 硅APD, 0.5mm, TO-66, 光子计数, 二级致冷器 - 利用两级热电冷却的优势,实现更高的冷却能力。
  • C30902EH - 硅APD, 0.5mm, TO-18 - 高速、大面积硅APD,专为要求典型增益大于100的弱光应用而设计。
  • C30902EH-2 - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 905nm滤光片 - 专为弱光应用而设计,配有905nm滤光片,用于过滤或屏蔽905nm波长的光线。
  • C30902BH - 硅APD, 0.5mm, TO-18球面透镜 - 提供多种TO-18封装配置,如球面透镜、平板玻璃、光导管和905 nm滤光片。
  • C30916EH - 硅APD, 1.5mm, TO-5薄型 - 感光面直径为1.5 mm,采用TO-5外壳。
  • C30817EH - 硅APD, 0.8mm, TO-5薄型 - 专为通用应用而设计,具有双扩散“直通”结构。
  • C30884EH - 硅APD, 1mm, TO-5 - 具有极高的调制能力,响应速度快,上升和下降时间短。
高性能硅APD有哪些应用?
高性能硅APD具有极为出色的多功能性,可无缝集成到通信、光探测与测距 (LiDAR)、科研、医疗成像、安防、国防和工业仪器仪表行业的各种系统中,实现以下应用:
  • 激光测距仪
  • 扫描视频成像仪
  • 共聚焦显微镜
  • 自由空间通信
  • 分光光度计
  • 荧光探测
  • 光度计
  • DNA测序仪
  • 粒径分析
你们是否提供定制硅APD?
埃赛力达自豪地生产各种即用型高性能硅APD,以满足OEM客户的需求,使他们能够生产满足最终用户要求的解决方案。这些产品的制造既符合最高质量标准,又保持经济实惠。如果您仍然无法在我们全面的产品组合中找到所需的解决方案,欢迎您与我们联系,以便我们能够合作定制解决方案,满足您的特殊要求。我们将在设计和生产的各个阶段与您合作,帮助您开发出能够优化产品质量、成本和上市时间的解决方案。
埃赛力达C30902系列高性能硅APD

产品清单

零件号
C30902SH

C30902SH - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 光子计数

埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD,可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式(VOP < VBD)以检测单光子,或用于线性模式(VOP > VBD),增益高达250。
零件号
C30902SH-2

C30902SH-2 - Si APD,0.5mm, TO-18,光子计数型,905nm滤光片

埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD,可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式(VOP < VBD)以检测单光子,或用于线性模式(VOP > VBD),增益高达250。
零件号
C30902SH-TC

C30902SH-TC - 硅APD, 0.5mm, TO-66,光子计数,单级致冷器

埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD,可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式(VOP < VBD)以检测单光子,或用于线性模式(VOP > VBD),增益高达250。
零件号
C30902SH-DTC

C30902SH-DTC - 硅APD, 0.5mm, TO-66,光子计数,二级致冷器

埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD,可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式(VOP < VBD)以检测单光子,或用于线性模式(VOP > VBD),增益高达250。
零件号
C30902EH

C30902EH - 硅APD, 0.5mm, TO-18

埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD,在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的,提供多种TO-18封装配置,如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。
零件号
C30902EH-2

C30902EH-2 - 硅APD, 0.5mm, TO-18, 905nm滤波器

埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD,在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的,提供多种TO-18封装配置,如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。
零件号
C30902BH

C30902BH - 硅APD, 0.5mm, TO-18球面镜

埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD,在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的,提供多种TO-18封装配置,如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。
零件号
C30916EH

C30916EH - 硅APD, 1.5mm, TO-5薄型

C30916EH大面积硅雪崩光电二极管封装在TO-5外壳中提供1.5 mm的感光面直径。
零件号
C30817EH

C30817EH - 硅APD, 0.8mm, TO-5薄型

通用C30817EH硅雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构设计。这种结构能够在400至1100nm之间提供高响应度,并能在所有波长下实现极快的上升和下降。由于下降时间特征没有“拖尾”,器件的响应度与最高约200 MHz的调制频率无关。
零件号
C30884EH

C30884EH - 硅APD, 1mm, TO-5

C30884EH硅雪崩光电二极管(Si APD)提供极高的调制能力,具有高响应度以及快速的上升和下降时间。由于下降时间特征没有“拖尾”,器件的响应度与最高约400 MHz的调制频率无关。这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成,针对1000 nm以下波长的高响应度进行了优化。