埃赛力达C30916EH是一种通用硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透式”结构制成。这种结构能够在400至1000nm之间提供高响应度，并能在所有波长下实现极快的上升和下降。
功能与优点：
- 低噪声
- 高增益
- 高量子效率
- 内置热电致冷选项
应用领域：
- 激光测距
- LiDAR
- 自由空间通信
- 分光光度计
- 荧光探测
感光面积：1.7 mm²
感光直径：1.5 mm
击穿电压：>315, 390, <490 V
电容：3pF
暗电流：100 nA
增益：80
NEP：20 fW/√Hz
封装：TO-5
峰值灵敏度波长：900 nm
响应度：在900 nm处为>50 A/W，在1060 nm处为12 A/W
上升/下降时间：3 ns
感光面积：1.7 mm²
感光直径：1.5 mm
击穿电压：>315, 390, <490 V
电容：3pF
暗电流：100 nA
增益：80
NEP：20 fW/√Hz
封装：TO-5
峰值灵敏度波长：900 nm
响应度：在900 nm处为>50 A/W，在1060 nm处为12 A/W
上升/下降时间：3 ns