埃赛力达C30817EH硅APD
零件/ C30817EH

C30817EH - 硅APD, 0.8mm, TO-5薄型

通用C30817EH硅雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构设计。这种结构能够在400至1100nm之间提供高响应度,并能在所有波长下实现极快的上升和下降。由于下降时间特征没有“拖尾”,器件的响应度与最高约200 MHz的调制频率无关。

C30817采用经过修改的薄型TO-5封装,密封在平玻璃窗后面。

主要特性:

  • 高量子效率
    • 在900 nm处的典型值为85%
    • 在1060 nm处的典型值为18%
  • 光谱响应范围:400至1100 nm
  • 快速响应时间
  • 2 ns的典型上升时间和下降时间
  • 较宽的工作温度范围

应用领域:

  • 激光探测
  • 测距
  • 光通信
  • 高速开关
  • 渡越时间测量

感光面积:0.5 mm²
感光直径:0.8 mm
击穿电压:375V
电容:2 pF
暗电流:50 nA
增益:120
噪声电流:1 pA/√Hz
封装:TO-5,平面窗口
响应度:

  • 在900 nm为75 A/W
  • 在1060 nm为18 A/W

上升/下降时间:2 ns
温度系数:0.7V/°C
波长:400-1100nm

感光面积:0.5 mm²
感光直径:0.8 mm
击穿电压:375V
电容:2 pF
暗电流:50 nA
增益:120
噪声电流:1 pA/√Hz
封装:TO-5,平面窗口
响应度:

  • 在900 nm为75 A/W
  • 在1060 nm为18 A/W

上升/下降时间:2 ns
温度系数:0.7V/°C
波长:400-1100nm

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