埃赛力达C30884EH硅APD
零件/ C30884EH

C30884EH - 硅APD, 1mm, TO-5

C30884EH硅雪崩光电二极管(Si APD)提供极高的调制能力，具有高响应度以及快速的上升和下降时间。由于下降时间特征没有“拖尾”，器件的响应度与最高约400 MHz的调制频率无关。这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成，针对1000 nm以下波长的高响应度进行了优化。

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C30884EH采用经过修改的薄型TO-5封装，芯片密封在平玻璃窗后面。

应用领域：

  • 光通信
  • 激光测距
  • 高速开关系统

高量子效率：

  • 在900 nm处的典型值为85%
  • 在1060 nm处的典型值为10%

光谱响应范围 -（10%点）400至1100 nm

快速响应时间：

  • 上升时间：1 ns
  • 下降时间：1 ns

较宽的工作温度范围：-40°C至70°C

气密薄型TO-5封装

高量子效率：

  • 在900 nm处的典型值为85%
  • 在1060 nm处的典型值为10%

光谱响应范围 -（10%点）400至1100 nm

快速响应时间：

  • 上升时间：1 ns
  • 下降时间：1 ns

较宽的工作温度范围：-40°C至70°C

气密薄型TO-5封装

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