零件号
C30954EH
C30954EH - Si APD, 0.8mm, TO-5封装
C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计,这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强,不会产生任何不良影响。
使用双扩散“穿通”结构制作了1064nm长波长增强型硅APD (C30954EH、C30955EH和C30956EH)。这些光电二极管的设计增强了它们在长波的响应(即>900 nm),并且没有产生任何不良影响。这些APD在1060 nm处的量子效率高达40 %。