埃赛力达C30955EH硅APD
零件/ C30955EH

C30955EH - Si APD, 1.5mm, TO-5封装

C30955EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(APD)提供1.5 mm感光面直径和1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计,这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强,不会产生任何不良影响。

功能与优点:

  • 1.5 mm感光直径
  • 在1060 nm处具有高量子效率
  • 快速响应时间
  • 较宽的工作温度范围
  • 低结电容
  • 密封封装
  • 符合RoHS标准
  • 提供TEC选项

应用领域:

  • 测距
  • LiDAR
  • YAG激光探测

 

感光面积:1.77 mm²
感光直径:1.5 mm
击穿电压:>315, 390, <490 V
电容:3pF
暗电流:100nA
增益:100
噪声电流:1 pA/√Hz
封装:TO-5
峰值灵敏度波长:900 nm
响应度:

  • 在900 nm处为70 A/W
  • 在1050 nm处为34 A/W
  • 在1150 nm为5 A/W

上升/下降时间:2ns
温度系数:2.4V/°C
工作电压范围:275-450 V
波长:400-1100nm

感光面积:1.77 mm²
感光直径:1.5 mm
击穿电压:>315, 390, <490 V
电容:3pF
暗电流:100nA
增益:100
噪声电流:1 pA/√Hz
封装:TO-5
峰值灵敏度波长:900 nm
响应度:

  • 在900 nm处为70 A/W
  • 在1050 nm处为34 A/W
  • 在1150 nm为5 A/W

上升/下降时间:2ns
温度系数:2.4V/°C
工作电压范围:275-450 V
波长:400-1100nm

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