埃赛力达硅APD C30956EH
零件/ C30956EH

C30956EH—硅APD, 3mm, TO-8封装

C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径,在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计,使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波长响应经过了增强,不会产生任何不良影响。

功能与优点:

  • 感光直径:3 mm
  • 1060 nm波长处具有高量子效率
  • 快速响应时间
  • 较宽的工作温度范围
  • 低结电容
  • 密封封装
  • 符合RoHS标准
  • 提供TEC选项

应用领域:

  • 测距
  • LiDAR
  • YAG激光探测

 

感光面积:7 mm²
感光直径:3 mm
击穿电压:>325, 400, <500 V
结电容:2.4 pF
暗电流:100 nA
增益:75
噪声电流:1.1pA/√Hz
封装:TO-8
峰值灵敏度波长:900 nm
响应度:

  • 在900 nm为45 A/W
  • 1050nm处为25A/W
  • 1150 nm处为3.5A/W

上升/下降时间:2 ns
温度系数:2.4V/°C
工作电压范围:275-450 V
波长:400-1100nm

感光面积:7 mm²
感光直径:3 mm
击穿电压:>325, 400, <500 V
结电容:2.4 pF
暗电流:100 nA
增益:75
噪声电流:1.1pA/√Hz
封装:TO-8
峰值灵敏度波长:900 nm
响应度:

  • 在900 nm为45 A/W
  • 1050nm处为25A/W
  • 1150 nm处为3.5A/W

上升/下降时间:2 ns
温度系数:2.4V/°C
工作电压范围:275-450 V
波长:400-1100nm

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