零件/ C30737MH-500-80N
C30737MH-500-80N - 硅APD, 500um, LLC, 800nm增强型
C30737MH-500-80N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚叠层载体(LLC)中提供500 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
主要特性：
- 介于500至1000 nm之间的高响应度
- 在所有波长处均噪声低且上升速度极快，响应频率高于1.3 GHz
- 500μm感光直径，针对800 nm的峰值灵敏度进行了优化
- 无引脚叠层载体选项“MH”
应用领域：
- LiDAR
- 激光测距
- 安全扫描
- 需要低成本、高性能探测器的应用
| 感光直径 | 500μm |
| 峰值灵敏度波长 | 800 nm |
| 击穿电压Vbd | 120-210（提供分选） |
| 常数M的工作电压温度系数： | 0.5 V/°C |
| 增益 | 100 @800nm |
| 响应度 | 在800 nm为50 A/W |
| 暗电流Id | 0.1 <1 nA |
| 噪声电流 | 0.1 pA/√Hz |
| 电容 | 2 pF |
| 上升/下降时间 | 0.3 ns R 负载 = 50Ω |
| 截止频率 | 1.3 GHz |
| 储存温度 | -50°C至+100°C |
| 工作温度 | -40°C至+85°C |
| 封装 | 2x1.75mm Top封装FR4环氧树脂，无引脚叠层载体(LLC) |
| 感光直径 | 500μm |
| 峰值灵敏度波长 | 800 nm |
| 击穿电压Vbd | 120-210（提供分选） |
| 常数M的工作电压温度系数： | 0.5 V/°C |
| 增益 | 100 @800nm |
| 响应度 | 在800 nm为50 A/W |
| 暗电流Id | 0.1 <1 nA |
| 噪声电流 | 0.1 pA/√Hz |
| 电容 | 2 pF |
| 上升/下降时间 | 0.3 ns R 负载 = 50Ω |
| 截止频率 | 1.3 GHz |
| 储存温度 | -50°C至+100°C |
| 工作温度 | -40°C至+85°C |
| 封装 | 2x1.75mm Top封装FR4环氧树脂，无引脚叠层载体(LLC) |