EXACTD的6位格雷码设计允许按方位角或仰角以±0.8°的角度分辨率对入射AoA进行编码，具体取决于模块在±45°视场(FoC)中的方位。
硅和铟镓砷探测器阵列在小巧的TO-8封装中具有500 - 1650 nm的组合光谱灵敏度范围。
功能与优点：
- 500 - 1650 nm光谱灵敏度范围
- 6位设计，可按方位角或仰角实现±0.8˚的AoA精度
- 方位角或仰角的FOV均为±45˚
- 宽动态范围的低灵敏度和高灵敏度通道
- 每个光电二极管阵列中提供三个参考通道，用于确定基线信号电平
波长范围(nm)：500至1650
偏压(V)：12
典型响应度(A/W)：在500 nm处为0.2 A/W
典型响应度(A/W)：在900 nm处为0.4 A/W
典型响应度(A/W)：在1064 nm处为0.5 A/W
典型响应度(A/W)：在1540 nm处为0.7 A/W
每个元件的最大暗电流 (nA)：20
每个元件的噪声电流(pA/√Hz)：0.5
每个元件的典型电容（pF）：12
典型上升和下降时间(ns)：5
动态范围(dB)：60
视场(º)：±45
典型到达角(AoA)精度（均方根误差）(º)：0.8
最大指向误差(º)：1.0
壳工作温度(℃)：-40至85
典型最高入射功率(kW/cm²)：1.2
最低损伤阈值(kW/cm²)：100
波长范围(nm)：500至1650
偏压(V)：12
典型响应度(A/W)：在500 nm处为0.2 A/W
典型响应度(A/W)：在900 nm处为0.4 A/W
典型响应度(A/W)：在1064 nm处为0.5 A/W
典型响应度(A/W)：在1540 nm处为0.7 A/W
每个元件的最大暗电流 (nA)：20
每个元件的噪声电流(pA/√Hz)：0.5
每个元件的典型电容（pF）：12
典型上升和下降时间(ns)：5
动态范围(dB)：60
视场(º)：±45
典型到达角(AoA)精度（均方根误差）(º)：0.8
最大指向误差(º)：1.0
壳工作温度(℃)：-40至85
典型最高入射功率(kW/cm²)：1.2
最低损伤阈值(kW/cm²)：100