905 nm PLD(采用S封装)
零件/ QPGAS2S09H

QPGAS2S09H - 905nm四腔两层9 密耳脉冲激光二极管

QPGAS2S09H是采用金属封装的高效905nm脉冲激光二极管,由条带宽度为225µm的双堆叠四腔芯片构成。通过100ns脉宽测试,它在30A时具有200W的功率输出,并提供各种其他封装。

这种多腔905 nm脉冲激光二极管采用金属封装设计,用于高级测距应用。

埃赛力达提供一系列905nm激光器,包括多腔单片结构,每个芯片有多达四个的感光腔室,从而提供高达100W的光学输出峰值功率。多达三个激光芯片的物理堆叠可产生高达300W的光学峰值功率。

• 905nm脉冲激光器
• QPGA系列:四腔芯片系列
• 系列单芯片堆叠器件
• 多腔激光器浓缩了发射源的尺寸
• 量子阱结构
• 高峰值脉冲功率
• 出色的温度稳定性

• 905nm脉冲激光器
• QPGA系列:四腔芯片系列
• 系列单芯片堆叠器件
• 多腔激光器浓缩了发射源的尺寸
• 量子阱结构
• 高峰值脉冲功率
• 出色的温度稳定性

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