采用SMD封装的905 nm 4通道脉冲激光二极管阵列
零件/ TPGAD1S11A-4A

TPGAD1S11A-4A - 905nm 1x4 SMD脉冲激光二极管阵列

埃赛力达提供新型905nm四通道脉冲激光二极管阵列,该产品具有灵活的发射模式和高输出功率。这款脉冲激光二极管设计独特,可在通道单独触发时增加占空比,或在并行激活所有通道时将输出功率提升至300 W。在选择最适合的发射器时,每个应用都有其独特的挑战。请立即联系我们,一同探讨您的具体需求。

这种激光二极管阵列既可用于单独通道的选择,也可用于所有通道的共同触发。可在1 μs内维持高达35 V的大反向电压水平,这使其对LiDAR应用中常见的大幅电压摆动展现出稳健的性能。当接入至少30 A的正向电流时,该阵列可提供每通道高达 75 W的正向输出功率。

  • 30 A时的典型输出功率为每通道75 W
  • 通道之间只有30 µm的极小光学带隙
  • 串联或并联工作以增加占空比或输出功率
  • 由于反向电压的可持续能力强,可进行高端和低端驱动器配置
  • 条带宽度:11密耳(280 µm)
  • 85 °C时的功率下降< 20%
  • 符合RoHS标准
  • 30 A时的典型输出功率为每通道75 W
  • 通道之间只有30 µm的极小光学带隙
  • 串联或并联工作以增加占空比或输出功率
  • 由于反向电压的可持续能力强,可进行高端和低端驱动器配置
  • 条带宽度:11密耳(280 µm)
  • 85 °C时的功率下降< 20%
  • 符合RoHS标准
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