这些光电二极管在400 nm至1100 nm波长范围内表现良好，并具有更高的IR响应度，是1064 nm检测设备的理想选择。
保护环收集光敏区域外部产生的电流，确保电流不会产生噪声。
由于该设备具有较大的感光面积，可用于从聚焦点和散焦点以脉冲或CW模式获取位置信息。
主要特性：
- 在1064 nm处具有高量子效率
- 元件之间的相互干扰<1%
- 象限之间没有“死区”（P型）
- 封装类型：气密TO-罐
- 提供N型和P型配置，可选配加热器和防反射涂层
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元件数量：4
感光直径（mm）：5.1
单个元件感光面积(mm²)：5.1
每个象限的典型电容（pF）：12
900 nm处典型响应度（A/W）：0.60
1064 nm处典型响应度（A/W）：0.44
-AR和-ARH后缀在1064nm的典型响应度（A/W）：0.47
典型上升时间，50Ω负载（ns）：12
最大工作电压（V）：180
最低击穿电压（V）：200
每个元件的典型电容（pF）：2
每个元件的最大电容（pF）：10
每个元件的典型暗电流（nA）：10
每个元件的最大暗电流（nA）：50
每个元件的典型噪声电流（pA/√Hz）：0.10
每个元件900 nm的等效噪声功率（NEP）（pW/√Hz）：0.10
每个元件1064 nm的等效噪声功率（NEP）（pW/√Hz）：0.15
25℃加热器电阻（-H后缀）（kΩ）：10±2
加热器峰值功率（-H后缀）（W）：4
加热器最大直流电压（-H后缀）（V）：12
封装：TO-8定制
存储温度范围（℃）：-55到125
工作温度范围（℃）：-55到125
-H后缀工作温度范围（℃）：-40到85
加热器最大电压（V）：12
元件数量：4
感光直径（mm）：5.1
单个元件感光面积(mm²)：5.1
每个象限的典型电容（pF）：12
900 nm处典型响应度（A/W）：0.60
1064 nm处典型响应度（A/W）：0.44
-AR和-ARH后缀在1064nm的典型响应度（A/W）：0.47
典型上升时间，50Ω负载（ns）：12
最大工作电压（V）：180
最低击穿电压（V）：200
每个元件的典型电容（pF）：2
每个元件的最大电容（pF）：10
每个元件的典型暗电流（nA）：10
每个元件的最大暗电流（nA）：50
每个元件的典型噪声电流（pA/√Hz）：0.10
每个元件900 nm的等效噪声功率（NEP）（pW/√Hz）：0.10
每个元件1064 nm的等效噪声功率（NEP）（pW/√Hz）：0.15
25℃加热器电阻（-H后缀）（kΩ）：10±2
加热器峰值功率（-H后缀）（W）：4
加热器最大直流电压（-H后缀）（V）：12
封装：TO-8定制
存储温度范围（℃）：-55到125
工作温度范围（℃）：-55到125
-H后缀工作温度范围（℃）：-40到85
加热器最大电压（V）：12