这些光电二极管在400 nm至1100 nm波长范围内表现良好，并具有更高的IR响应度，是1064 nm检测设备的理想选择。
保护环收集光敏区域外部产生的电流，确保电流不会产生噪声。
由于该设备具有较大的感光面积，可用于从聚焦点和散焦点以脉冲或CW模式获取位置信息。
主要功能与优点：
- 在1064 nm处具有高量子效率
- 封装类型：密封TO-5罐
- 提供N型和P型配置
- 感光直径（mm）：5.1
感光直径（mm）：5.1
每个元件的感光面积（mm²）：20
每个象限的典型电容（pF）：12
900 nm处典型响应度（A/W）：0.60
1064 nm处典型响应度（A/W）：0.44
-AR坐标轴在1064 nm处的典型响应度（A/W）：0.47
典型上升时间，50Ω负载（ns）：12
最大工作电压（V）：180
最低击穿电压（V）：200
典型电容（pF）：6
典型暗电流（nA）：25
最大暗电流（nA）：100
典型噪声电流（pA/√Hz）：0.09
1064 nm处的等效噪声功率（NEP）（pW/√Hz）：0.13
封装：TO-8定制
存储温度范围（℃）：-55到125
工作温度范围（℃）：-55到125
感光直径（mm）：5.1
每个元件的感光面积（mm²）：20
每个象限的典型电容（pF）：12
900 nm处典型响应度（A/W）：0.60
1064 nm处典型响应度（A/W）：0.44
-AR坐标轴在1064 nm处的典型响应度（A/W）：0.47
典型上升时间，50Ω负载（ns）：12
最大工作电压（V）：180
最低击穿电压（V）：200
典型电容（pF）：6
典型暗电流（nA）：25
最大暗电流（nA）：100
典型噪声电流（pA/√Hz）：0.09
1064 nm处的等效噪声功率（NEP）（pW/√Hz）：0.13
封装：TO-8定制
存储温度范围（℃）：-55到125
工作温度范围（℃）：-55到125