部件/ YAG-444-4象限系列
YAG-444-4系列象限光电二极管 - Si PIN - 11.3mm
YAG系列Si PIN象限探测器是采用密封TO封装的高性能N型或P型Si PIN光电二极管。
这些光电二极管在400 nm至1100 nm波长范围内表现良好，并具有更高的IR响应度，是1064 nm检测设备的理想选择。
保护环收集光敏区域外部产生的电流，确保电流不会产生噪声。
由于该设备具有较大的感光面积，可用于从聚焦点和散焦点以脉冲或CW模式获取位置信息。
主要特性：
- 在1064 nm处具有高量子效率
- 元件间串扰<1%
- 象限之间没有“死区”（P型）
- 封装类型：气密TO-罐
- 提供N型和P型配置，可选配加热器和防反射涂层
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| 元件数量 | 4 |
| 感光直径 (mm) | 11.3 |
| 每个元件的感光面积 (mm²) | 25 |
| 每个象限的典型电容 (pF) | 12 |
| 在900 nm的典型响应度 (A/W) | 0.60 |
| 在1064 nm的典型响应度 (A/W) | 0.44 |
| -AR和-ARH后缀在1064nm处的典型响应度 (A/W) | 0.47 |
| 典型上升时间，50Ω负载 (ns) | 12 |
| 最大工作电压 (V) | 180 |
| 最低击穿电压 (V) | 200 |
| 每个元件的典型电容 (pF) | 9 |
| 每个元件的最大电容 (pF) | 15 |
| 每个元件的典型暗电流 (nA) | 30 |
| 每个元件的最大暗电流 (nA) | 100 |
| 每个元件的典型噪声电流 (pA/ |
0.20 |
| 每个元件在900 nm处的等效噪声功率 (NEP) (pW/ |
0.25 |
| 每个元件在1064 nm处的等效噪声功率 (NEP) (pW/ |
0.30 |
| 25℃时的加热器电阻 (-H后缀) (kΩ) | 10±2 |
| 加热器峰值功率 (-H后缀) (W) | 16.1 |
| 加热器最大直流电压 (-H后缀) (V) | 24 |
| 封装 | TO-36定制 |
| 储存温度范围 (℃) | -55至125 |
| 工作温度范围 (℃) | -55至125 |
| -H后缀工作温度范围 (℃) | -40至85 |
| 加热器最大电压 (V) | 12 |
| 元件数量 | 4 |
| 感光直径 (mm) | 11.3 |
| 每个元件的感光面积 (mm²) | 25 |
| 每个象限的典型电容 (pF) | 12 |
| 在900 nm的典型响应度 (A/W) | 0.60 |
| 在1064 nm的典型响应度 (A/W) | 0.44 |
| -AR和-ARH后缀在1064nm处的典型响应度 (A/W) | 0.47 |
| 典型上升时间，50Ω负载 (ns) | 12 |
| 最大工作电压 (V) | 180 |
| 最低击穿电压 (V) | 200 |
| 每个元件的典型电容 (pF) | 9 |
| 每个元件的最大电容 (pF) | 15 |
| 每个元件的典型暗电流 (nA) | 30 |
| 每个元件的最大暗电流 (nA) | 100 |
| 每个元件的典型噪声电流 (pA/ |
0.20 |
| 每个元件在900 nm处的等效噪声功率 (NEP) (pW/ |
0.25 |
| 每个元件在1064 nm处的等效噪声功率 (NEP) (pW/ |
0.30 |
| 25℃时的加热器电阻 (-H后缀) (kΩ) | 10±2 |
| 加热器峰值功率 (-H后缀) (W) | 16.1 |
| 加热器最大直流电压 (-H后缀) (V) | 24 |
| 封装 | TO-36定制 |
| 储存温度范围 (℃) | -55至125 |
| 工作温度范围 (℃) | -55至125 |
| -H后缀工作温度范围 (℃) | -40至85 |
| 加热器最大电压 (V) | 12 |