这些光电二极管在400 nm至1100 nm波长范围内表现良好,并具有更高的IR响应度,是1064 nm检测设备的理想选择。
保护环收集光敏区域外部产生的电流,确保电流不会产生噪声。
由于该设备具有较大的感光面积,可用于从聚焦点和散焦点以脉冲或CW模式获取位置信息。
主要特性:
- 在1064 nm处具有高量子效率
- 元件之间的相互干扰<1%
- 象限之间没有“死区”(P型)
- 封装类型:气密TO-罐
- 提供N型和P型配置,可选配加热器和防反射涂层
元件数量:4
感光直径(mm):14.1
每个元件的感光面积(mm²):39
每个象限的典型电容(pF):12
900 nm处典型响应度(A/W):0.60
1064 nm处典型响应度(A/W):0.44
-AR和-ARH后缀在1064nm的典型响应度(A/W):0.47
典型上升时间,50Ω负载(ns):12
最大工作电压(V):180
最低击穿电压(V):200
每个元件的典型电容(pF):9
每个元件的最大电容(pF):20
每个元件的典型暗电流(nA):50
每个元件的最大暗电流(nA):150
每个元件的典型噪声电流(pA/√Hz):0.20
每个元件900 nm的等效噪声功率(NEP)(pW/√Hz):0.25
每个元件1064 nm的等效噪声功率(NEP)(pW/√Hz):0.30
25℃加热器电阻(-H后缀)(kΩ):10±2
加热器峰值功率(-H后缀)(W):16.1
加热器最大直流电压(-H后缀)(V):24
封装:TO-36定制
存储温度范围(℃):-55到125
工作温度范围(℃):-55到125
-H后缀工作温度范围(℃):-40到85
加热器最大电压(V):12
元件数量:4
感光直径(mm):14.1
每个元件的感光面积(mm²):39
每个象限的典型电容(pF):12
900 nm处典型响应度(A/W):0.60
1064 nm处典型响应度(A/W):0.44
-AR和-ARH后缀在1064nm的典型响应度(A/W):0.47
典型上升时间,50Ω负载(ns):12
最大工作电压(V):180
最低击穿电压(V):200
每个元件的典型电容(pF):9
每个元件的最大电容(pF):20
每个元件的典型暗电流(nA):50
每个元件的最大暗电流(nA):150
每个元件的典型噪声电流(pA/√Hz):0.20
每个元件900 nm的等效噪声功率(NEP)(pW/√Hz):0.25
每个元件1064 nm的等效噪声功率(NEP)(pW/√Hz):0.30
25℃加热器电阻(-H后缀)(kΩ):10±2
加热器峰值功率(-H后缀)(W):16.1
加热器最大直流电压(-H后缀)(V):24
封装:TO-36定制
存储温度范围(℃):-55到125
工作温度范围(℃):-55到125
-H后缀工作温度范围(℃):-40到85
加热器最大电压(V):12